[发明专利]具有预热功能的非晶硅膜成形系统无效
申请号: | 200810094965.6 | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101572227A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 杨正安;何建立;叶公旭;黄明鸿 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L31/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 预热 功能 非晶硅膜 成形 系统 | ||
技术领域
本发明与非晶硅膜的成形技术有关,特别是指一种具有预热功能的非晶硅膜成形系统。
背景技术
按,目前主流的非晶硅薄膜太阳能电池,其制造过程中的非晶硅薄膜是为关键,目前普遍的制造方式,是由等离子体辅助化学气相沉积法(Plasma-Enhance Chemical Vapor Deposition,PECVD)来制造成形的。而非晶硅薄膜主要是由p-a-Si:H、i-a-Si:H、以及n-a-Si:H(即p-i-n)三层物质所沉积而成。
目前的p-i-n薄膜,在成形技术上,主要是将待成膜料片(例如玻璃板)水平设置于一腔体内,再将该腔体内的温度加热至工作温度,再于该腔体内依序成形出p层、i层、及n层薄膜,完成后再向外移出该待沉积物。此种成形方式,由于三层都是在同一腔体内成形,因此在变换沉积层的过程中,必须将该腔体内的原气体抽出,再注入对应沉积层的气体,并控制好浓度后,才能开始下一次的气相沉积。然而此种方式耗时太久,有很多时间浪费在控制气体的过程。
如欲解决上述问题,利用多个腔室分别成形各层薄膜,以批次式的方式依次成形,应可加快成形的时间。然而,多个腔室的批次做法,却有温度降低而需在腔室内重新加热的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有预热功能的非晶硅膜成形系统,其可预先对待成膜料片进行加热。
为实现上述目的,本发明提供的具有预热功能的非晶硅膜成形系统,包含有:
至少一成形腔,用以在一待成膜料片上沉积一层非晶硅膜,该成形腔具有可开启/关闭的一密封门;
一预热腔,内部具有一加热装置,可对内部进行加热,该预热腔具有可开启/关闭的一密封门;
一共享真空腔,与该成形腔及该预热腔相连,通过该些密封门的开启/关闭来使该成形腔及预热腔与该共享真空腔内部隔离/相通;
一运输装置,位于该共享真空腔内,具有一承载面,该运输装置可运动而使该承载面分别运动至该成形腔以及该预热腔的密封门前方;以及
一载料车,位于该运输装置的承载面上,载运复数的待成膜料片,该载料车可由该承载面通过各该密封门而进入前述的该成形腔以及该预热腔内,或由该成形腔以及预热腔内移出至该承载面上。
所述的具有预热功能的非晶硅膜成形系统,其中:该加热装置为复数热丝,设于该预热腔内的两侧壁面。
所述的具有预热功能的非晶硅膜成形系统,其中:包含有:一物料进出门,该物料进出门设于该共享真空腔、或该预热腔、或该成形腔三者其中之一。
所述的具有预热功能的非晶硅膜成形系统,其中:该共享真空腔具有一加热装置。
换言之,依据本发明所提供的一种具有预热功能的非晶硅膜成形系统,包含有:至少一成形腔,用以在一待成膜料片上沉积一层非晶硅膜,该成形腔具有可开启/关闭的一密封门;一预热腔,内部具有一加热装置,可对内部进行加热,该预热腔具有可开启/关闭的一密封门;一共享真空腔,与该成形腔及该预热腔相连,通过该些密封门的开启/关闭来使该成形腔及预热腔与该共享真空腔内部隔离/相通;一运输装置,位于该共享真空腔内,具有一承载面,该运输装置可运动而使该承载面分别运动至该成形腔以及该预热腔的密封门前方;以及一载料车,位于该运输装置的承载面上,载运复数的待成膜料片,该载料车可由该承载面通过各该密封门而进入前述的该成形腔以及该预热腔内,或由该成形腔以及预热腔内移出至该承载面上。由此,可在进行沉积前先行预热,进而可加快生产的速度。
附图说明
图1是本发明一较佳实施例的示意图。
图2是本发明一较佳实施例的第一动作图。
图3是本发明一较佳实施例的第二动作图。
附图中主要组件符号说明:
10具有预热功能的非晶硅膜成形系统
11成形腔
111密封门
13预热腔
131密封门
14加热装置
15共享真空腔
151物料进出门
152加热装置
17运输装置
18承载面
19载料车
21待成膜料片
具体实施方式
为了详细说明本发明的构造及特点所在,举以下一较佳实施例并配合附图说明如后,其中:
如图1所示,本发明一较佳实施例所提供的一种具有预热功能的非晶硅膜成形系统10,主要由复数成形腔11、一预热腔13、一共享真空腔15、一运输装置17、以及一载料车19所组成,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造