[发明专利]X-射线检测器和X-射线CT设备有效
申请号: | 200810094969.4 | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101569530A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 孙云峰;董加勤;李剑颖 | 申请(专利权)人: | GE医疗系统环球技术有限公司 |
主分类号: | A61B6/03 | 分类号: | A61B6/03;G01T1/161;G01T1/24;H01L31/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 美国威*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 检测器 ct 设备 | ||
1.一种使用将X-射线的光子直接转换成电信号的半导体的X- 射线检测器,该X-射线检测器包括:
具有检测单元的阵列的单层半导体衬底,所述检测单元将X-射 线的光子直接转换成电信号;
第一数据收集装置,其以光子计数模式收集关于所述检测单元的 数据;以及
第二数据收集装置,其以电流测量模式收集关于所述检测单元的 数据,
其中,所述检测单元的阵列具有:
布置在所述半导体衬底的前面和背面的其中之一上的公共电极; 以及
布置在所述半导体衬底的前面和背面的另一个上的多个独立电 极,其中每个独立电极被配置成共享一个像素的两个电极,并且其中 所述两个电极中的一个连接到所述第一数据收集装置,而所述两个电 极中的另一个连接到所述第二数据收集装置。
2.根据权利要求1的X-射线检测器,其中:
所述检测单元的阵列在所述公共电极所位于的侧上经受X-射线 的入射。
3.根据权利要求1的X-射线检测器,其中:
所述检测单元的阵列在所述独立电极所位于的侧上经受X-射线 的入射。
4.根据权利要求1的X-射线检测器,其中:
所述检测单元的阵列在所述独立电极和所述公共电极之间的半 导体层的侧面上经受X-射线的入射。
5.一种X-射线CT设备,其通过使用X-射线扫描对象来收集 投影数据并且基于这些投影数据重建图像,该X-射线CT设备包括:
具有检测单元的阵列的单层半导体衬底,所述检测单元将X-射 线的光子直接转换成电信号;
第一数据收集装置,其以光子计数模式收集关于所述检测单元的 数据;
第二数据收集装置,其以电流测量模式收集关于所述检测单元的 数据;以及
图像重建装置,其基于所述第一数据收集装置收集的数据重建图 像,并且基于所述第二数据收集装置收集的数据重建图像,
其中,所述检测单元的阵列具有:
布置在所述半导体衬底的前面和背面的其中之一上的公共电极; 以及
布置在所述半导体衬底的前面和背面的另一个上的多个独立电 极,其中每个独立电极被配置成共享一个像素的两个电极,并且其中 所述两个电极中的一个连接到所述第一数据收集装置,而所述两个电 极中的另一个连接到所述第二数据收集装置。
6.根据权利要求5的X-射线CT设备,其中:
所述检测单元的阵列在所述公共电极所位于的侧上经受X-射线 的入射。
7.根据权利要求5的X-射线CT设备,其中:
所述检测单元的阵列在所述独立电极所位于的侧上经受X-射线 的入射。
8.根据权利要求5的X-射线CT设备,其中:
所述检测单元的阵列在所述独立电极和所述公共电极之间的半 导体层的侧面上经受X-射线的入射。
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