[发明专利]液晶显示器装置有效
申请号: | 200810095041.8 | 申请日: | 2008-04-23 |
公开(公告)号: | CN101369073A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 李锡烈;杨敦钧;张志明 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/133 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器,尤其涉及利用图案化结构改善显示器的视角、透光率、对比和应答时间,以及液晶显示器的制造方法。
背景技术
液晶显示器因为仅需要很小的电力即可显示良好的影像质量,因此通常被用作显示器装置。液晶显示器装置包含液晶盒与像素组件组成的液晶显示面板,每一个像素元件与其对应的液晶盒连结,且具有液晶电容和储存电容,薄膜晶体管则与液晶电容和储存电容电性耦合。像素元件大抵上以矩阵的方式排列,具有数个像素列(row)和数个像素行(column)。通常扫描信号依序地施加在数个像素列上,以相继地启动一列一列的像素元件。当扫描信号施加在像素列,以启动像素列上像素元件的相对应的薄膜晶体管时,像素列的源极信号(影像信号)也同时施加在数个像素行上,使得像素列的相对应的液晶电容和储存电容充电,进而使得与像素列连结的相对应的液晶盒朝一方向排列,以控制该处的透光率。通过对所有的像素列重复此程序,可在所有的像素元件上施加影像信号的对应的源极信号,进而显示影像信号于液晶显示器上。
液晶分子因为其长且薄的形状而具有一定的排列方向,液晶分子的排列方向在液晶显示面板的液晶盒中对于光线的穿透扮演重要的角色,例如在扭转向列型(twist nematic,简称TN)液晶显示器中,当液晶分子处于倾斜方向时,来自入射方向的光容易受到各种不同的反射率影响。由于液晶显示器的功能是基于双折射效果,透光率会随着不同视角而改变,因为透光率的不同,液晶显示器的最佳观赏位置会受限于狭窄的视角范围。对于液晶显示器而言,视角受限是主要缺点之一,并且其为限制液晶显示器应用的主要因素。
目前有各种增加液晶显示器视角的方法,例如平面切换(in-planeswitching,简称IPS)以及多象限垂直配向(multi-domain verticalalignment)。IPS型液晶显示器系使用梳子状交叉指型电极(comb-likeinter-digitized electrode)施加电场于基板的平面,使得液晶分子沿着基板排列,并在用于广视角监视器或其它应用时提供宽广的视角。然而,虽然IPS型液晶显示器可提供广视角,但其需要高电压且会有低的开口率。此外,因为平面电场结构的关系,IPS型液晶显示器会有严重的影像残留。
垂直配向型液晶显示器使用具有负介电各向异性的液晶材料以及垂直配向膜,当无电压施加时,液晶分子会朝垂直方向排列,此时无光线穿透液晶分子而呈现暗态。当施加预定电压时,液晶分子会朝水平方向排列,此时光线穿透液晶分子而呈现亮态。垂直配向型液晶显示器可提供高对比和快速的应答速度,此外,可通过导入突出结构而达到多象限排列,其迫使液晶分子在不同方向倾斜,进而提供亮态及暗态显示时较佳的视角。如图6图6所示,传统的垂直配向型液晶显示器600使用具有突出结构612的层610设置于彩色滤光片基板620上以划分液晶区域。因此,其在制造过程中需要额外的微影步骤,进而增加制造成本。此外,突出结构612会因为其在暗态时的漏光,而降低显示器的对比。
因此,目前业界急需一种技术以克服上述的缺点与不足。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种液晶显示器装置,其可具有广视角以及高对比。
本发明提供一种液晶显示器装置,液晶显示器装置具有(i)第一基板与第二基板分开设置,以在其间定义液晶盒间隙,(ii)液晶层设置在第一基板与第二基板之间的液晶盒间隙内,以及(iii)多数条扫描线在第一基板上以第一方向排列,以及多数条数据线以第二方向与该些扫描线相交排列,第二方向垂直于第一基板上的第一方向,借此定义多数个像素。在一实施例中,每个像素具有第一部份以及第二部分,且每个像素具有(a)第一介电层形成于第一基板上,(b)第一像素电极形成于第一介电层上,(c)第二介电层至少部分地覆盖第一像素电极,其中第二介电层具有至少一开口在像素的第一部份和第二部分的至少一个中,以暴露出至少一部分的第一像素电极,(d)第二像素电极形成于第二介电层上,且接近至少一开口形成的位置,以使得第二像素电极经由至少一开口与第一像素电极连接,以及(e)共享电极形成于第二介电层上。
在一实施例中,第一像素电极可由铟锌氧化物(indium zinc oxide,简称IZO)、非结晶铟锡氧化物(amorphous indium tin oxide,简称ITO)、复晶铟锡氧化物(poly ITO)或前述的组合形成。第一像素电极的厚度范围约在0.01至3.00μm之间,且具有圆形、椭圆形、矩形、多边形或前述组合的几何形状。
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