[发明专利]用于加工和观测样品的设备以及加工和观测截面的方法有效

专利信息
申请号: 200810095150.X 申请日: 2008-03-12
公开(公告)号: CN101298662A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 藤井利昭;高桥春男;田代纯一 申请(专利权)人: 精工电子纳米科技有限公司
主分类号: C23C14/52 分类号: C23C14/52;C23C14/04;C23C14/54
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王洪斌;刘宗杰
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 加工 观测 样品 设备 以及 截面 方法
【权利要求书】:

1.一种用于加工和观测样品的设备,包含:

样品板,在样品板上将要放置样品;

第一离子束透镜镜筒,能够使用第一离子束同时在整个预定照射范 围上对放置在所述样品板上的所述样品进行照射;

掩模,能够被设置在所述样品板和所述第一离子束透镜镜筒之间, 并且遮蔽所述第一离子束的一部分;

掩模移动装置,能够在XY平面上移动所述掩模,所述XY平面与第 一离子束透镜镜筒的所述第一离子束的照射方向基本成直角相交;

检测装置,能够检测二次生成物质;以及

带电粒子束透镜镜筒,能够在所述第一离子束照射的所述范围内扫 描聚焦的带电粒子束;

其中所述检测装置能够检测通过使用来自所述带电粒子束透镜镜筒 的所述带电粒子束对所述样品或所述掩模进行照射而产生的二次生成物 质。

2.根据权利要求1所述的用于加工和观测样品的设备,其中所述第 一离子束透镜镜筒的所述第一离子束是惰性离子束,其中所述惰性离子束 指惰性元素的离子束。

3.根据权利要求1所述的用于加工和观测样品的设备,还包含能够 在所述第一离子束照射的所述范围内扫描第二离子束的第二离子束透镜 镜筒,其中所述第二离子束是以比所述第一离子束的电流更小的电流被聚 焦的。

4.根据权利要求1所述的用于加工和观测样品的设备,还包含能够 在所述第一离子束照射的所述范围内扫描聚焦的电子束的电子束透镜镜 筒,其中所述聚焦的电子束具有比所述第一离子束的电流更小的电流。

5.根据权利要求1所述的用于加工和观测样品的设备,还包含掩模 调换机构,用于以与设置在所述用于加工和观测样品的设备中的所述掩模 不同的掩模来调换所述掩模。

6.一种加工和观测截面的方法,包含:

掩模位置调整步骤,通过将掩模设置在样品上以及通过检测由于扫 描聚焦的带电粒子束而产生的二次生成物质来调整用于形成所述样品的 截面的位置和所述掩模的边缘端的位置;

第一切割步骤,通过同时在整个预定照射范围上使用第一离子束照 射所述掩模以蚀刻通过所述掩模中的通孔暴露的所述样品,来在与所述掩 模的所述边缘端相对应的用于形成截面的所述位置处形成样品截面,其中 所述掩模在所述样品上的位置被调整;

其特征在于,截面观测步骤,检测由于在所述样品的截面上扫描聚 焦的带电粒子束而产生的二次生成物质。

7.根据权利要求6所述的加工和观测截面的方法,其中所述第一切 割步骤使用惰性离子束作为所述第一离子束,其中所述惰性离子束指惰性 元素的离子束。

8.根据权利要求6所述的加工和观测截面的方法,还包含第二切割 步骤:在所述第一切割步骤完成之后,通过在所述样品的截面上扫描以比 第一离子束的电流更小的电流聚焦的第二离子束来蚀刻所述样品的截面 表面,其中在所述第二切割步骤完成之后,执行所述截面观测步骤。

9.根据权利要求6所述的加工和观测截面的方法,其中在所述截面 观测步骤中,通过在所述样品的截面上扫描以比第一离子束的电流更小的 电流聚焦的聚焦电子束来观测所述样品的截面。

10.根据权利要求6所述的加工和观测截面的方法,其中在所述截 面观测步骤中,通过在所述样品的截面上扫描以比第一离子束的电流更小 的电流聚焦的第二离子束来观测所述样品的截面。

11.根据权利要求6所述的加工和观测截面的方法,还包含下列步骤: 以与设置在所述用于加工和观测样品的设备中的所述掩模不同的掩模来 调换所述掩模。

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