[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，由在芯片状的硅衬底或晶片状的硅衬底上所形成的多个半导体元件构成，其特征在于，

在所述硅衬底的表面，构成具有至少三个以上分别不同的面方位的半导体元件。

2.一种半导体装置，其特征在于，

形成在所述硅衬底上的NMOS晶体管的至少沟道区域应用硅衬底的表面的第一面方位，PMOS晶体管的至少沟道区域应用第二面方位，MOS电容部的至少栅电极正下方应用第三面方位。

3.根据权利要求2的半导体装置，其特征在于，

由于电子或空穴通过而起到元件的作用的硅衬底与氧化硅膜界面的至少一部分也应用所述第三面方位。

4.根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，

所述电子或空穴通过的硅衬底与氧化硅膜界面的至少一部分的面方位是从<100>面朝向<010>面倾斜1～4°的面方位。