[发明专利]图像拾取元件模块、利用图像拾取元件模块的透镜单元及便携式电子装置有效
申请号: | 200810095346.9 | 申请日: | 2008-05-04 |
公开(公告)号: | CN101299433A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 山宫国雄 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯映像株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/34;G02B7/02;G03B17/02;G03B17/55 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 拾取 元件 模块 利用 透镜 单元 便携式 电子 装置 | ||
1.一种图像拾取元件模块,其特征在于包括:
设有开口的印刷布线基板;
图像拾取元件,该图像拾取元件安装在所述印刷布线基板上,使得后侧绝缘片面对所述印刷布线基板上的所述开口;
树脂散热构件,该树脂散热构件由填充有填料的具有高导热率的合成树脂材料制成,并布置成与所述印刷布线基板和所述图像拾取元件热耦合;以及
相变蓄热器,该相变蓄热器布置成与所述树脂散热构件热耦合,并嵌入成型或形成为片状。
2.根据权利要求1所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述树脂散热构件由第一树脂散热构件和第二树脂散热构件形成,并且所述蓄热器一体地嵌在所述第一树脂散热构件和所述第二树脂散热构件之间。
3.根据权利要求1所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器在低于所述图像拾取元件的工作温度极限的温度下发生相变。
4.根据权利要求2所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器在低于所述图像拾取元件的工作温度极限的温度下发生相变。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器的芯材由无机材料或者有机材料形成。
6.根据权利要求5所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述无机材料是无机水合盐。
7.根据权利要求5所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述有机材料是石蜡或蜡。
8.一种图像拾取元件模块,其特征在于包括:
设有开口的印刷布线基板;
图像拾取元件,该图像拾取元件安装在所述印刷布线基板上,使得后侧绝缘片面对所述印刷布线基板上的所述开口;
金属散热构件,该金属散热构件由金属材料制成,并布置成与所述印刷布线基板和所述图像拾取元件热耦合;
树脂散热构件,该树脂散热构件由填充有填料的具有高导热率的合成树脂材料制成,并与所述金属散热构件热耦合,在所述树脂散热构件中布置有光学元件;以及
相变蓄热器,该相变蓄热器布置成与所述树脂散热构件热耦合,并嵌入成型或形成为片状。
9.根据权利要求8所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述光学元件由低通滤波器或透明玻璃基板构成。
10.根据权利要求8所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述树脂散热构件由第一树脂散热构件和第二树脂散热构件形成,并且所述蓄热器一体地嵌在所述第一树脂散热构件和所述第二树脂散热构件之间。
11.根据权利要求9所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述树脂散热构件由第一树脂散热构件和第二树脂散热构件形成,并且所述蓄热器一体地嵌在所述第一树脂散热构件和所述第二树脂散热构件之间。
12.根据权利要求8所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器在低于所述图像拾取元件的工作温度极限的温度下发生相变。
13.根据权利要求9所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器在低于所述图像拾取元件的工作温度极限的温度下发生相变。
14.根据权利要求10所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器在低于所述图像拾取元件的工作温度极限的温度下发生相变。
15.根据权利要求11所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器在低于所述图像拾取元件的工作温度极限的温度下发生相变。
16.根据权利要求8-15中任一项所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述蓄热器的芯材由无机材料或者有机材料形成。
17.根据权利要求16所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述无机材料是无机水合盐。
18.根据权利要求16所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述有机材料是石蜡或蜡。
19.根据权利要求16所述的图像拾取元件模块,其特征在于:
所述树脂散热构件设有借助于所述蓄热器而热耦合的多个翼片。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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