[发明专利]一种制作金属栅极结构的方法

权利要求书

1.一种制作金属栅极结构的方法，包含有：

提供半导体基底，该半导体基底上定义有至少一隔离区域和至少一有源区域；

于该有源区域上形成第一介电材料；

于该隔离区域和该有源区域上形成多晶硅材料；

平坦化该多晶硅材料，以于该半导体基底上形成平坦的多晶硅材料；

图案化该平坦化的多晶硅材料与该第一介电材料，以于该半导体基底上形成至少第一栅极与第二栅极，其中该第一栅极位于该有源区域上而该第二栅极则有部分横跨于该隔离区域上；

于该半导体基底上形成一层间介电材料覆盖该第一栅极和该第二栅极；

移除部分该层间介电材料，直至暴露出该第一栅极和该第二栅极，并形成层间介电层；

进行蚀刻工艺，移除该第一介电材料和该多晶硅材料，以于该层间介电层中形成分别对应至该第一栅极与该第二栅极的第一凹槽和第二凹槽；

形成至少一栅极介电材料于该第一凹槽和该第二凹槽的一表面上，

于该第一凹槽和该第二凹槽中形成至少一金属材料。

2.一种制作金属栅极结构的方法，包含有：

提供半导体基底，该半导体基底上定义有至少一隔离区域和至少一有源区域；

于该有源区域上形成第一介电材料，该第一介电材料为高介电常数材料；

于该隔离区域和该有源区域上形成多晶硅材料；

平坦化该多晶硅材料，以于该半导体基底上形成平坦的多晶硅材料；

图案化该平坦化的多晶硅材料与该第一介电材料，以于该半导体基底上形成至少第一栅极与第二栅极，其中该第一栅极位于该有源区域上而该第二栅极则有部分横跨于该隔离区域上；

于该半导体基底上形成一层间介电材料覆盖该第一栅极和该第二栅极；

移除部分该层间介电材料，直至暴露出该第一栅极和该第二栅极，并形成层间介电层；

进行蚀刻工艺，移除该多晶硅材料，以于该层间介电层中形成分别对应至该第一栅极与该第二栅极的第一凹槽和第二凹槽；

于该第一凹槽和该第二凹槽中形成至少一金属材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中该至少一栅极介电材料为高介电常数材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中该至少一栅极介电材料包含有两种材料，一种为介电材料而另一种为高介电常数材料。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中该蚀刻工艺包含干蚀刻或湿蚀刻工艺。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中形成于这些凹槽中的该至少一金属材料为N型金属材料，此N型金属材料包含有氮化铝钛、碳化钽、或氮化钽、或其任意组合。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中形成于这些凹槽中的该至少一金属材料为P型金属材料，此P型金属材料包含有氮化钛、钨、氮化钨、氮化钼、或氮化钼铝、或其任意组合。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中形成于该第一凹槽中的该金属材料为P型金属材料，此P型金属材料包含有氮化钛、钨、氮化钨、氮化钼、或氮化钼铝、或其任意组合，形成于该第二凹槽中的该金属材料为N型金属材料，此N型金属材料包含有氮化铝钛、碳化钽、或氮化钽、或其任意组合。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中形成于该第二凹槽中的该金属材料为P型金属材料，此P型金属材料包含有氮化钛、钨、氮化钨、氮化钼、或氮化钼铝、或其任意组合，形成于该第一凹槽中的该金属材料为N型金属材料，此N型金属材料包含有氮化铝钛、碳化钽、或氮化钽、或其任意组合。