[发明专利]高频发射装置的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及高频加热装置，特别地涉及对被加热物发射高输出的高频时的高频加热装置的控制方法。

背景技术

作为加热显示出高的介电常数的被加热物的方法，通常进行利用作为电磁波的一种的微波的功率。

作为产生此微波的方法，使具有电子管的磁控管振荡，将其振荡输出发射到空腔，进行被加热物的加热。例如，在微波炉中上述空腔相当于称为的烘箱的插入被加热物的空间。磁控管阳极电压高，大约几千伏的电压被施加在电极间。此外，在上述这样的加热设备中，通常使用一台磁控管。

在现有的微波炉等的加热装置中，也有使用单数的磁控管的情形，不容易为了使被加热物的温度均匀地上升而改变输出功率或输出频率。由于磁控管按电压和磁场的相互关系工作，所以难以改变微波炉的输出，并且，由于振荡频率取决于磁控管的电极结构，所以用搭载在微波炉中的单体的磁控管改变振荡频率是困难的。因此，为了均匀且高效地加热被加热物，进行用固体振荡器替换磁控管的尝试。

但是，固体振荡器与磁控管不同由半导体构成，因此非常容易被损坏。例如，在通过天线发射由固体振荡器所振荡的功率的情况下，由于从固体振荡器看的天线的阻抗和从天线看的固体振荡器的阻抗会不匹配，所以来自固体振荡器的输出功率的一部分返回固体振荡器，破坏固体振荡器，这一点是通常周知的。

图12是示意性地表示专利文献1所记载的现有的高频发射装置的图。

如该图中所示，现有的高频发射装置具有固体高频产生部1、存放被加热物(未图示)的加热室3、和配设在加热室3的一壁面上的馈电天线4。作为高频加热热源的固体高频产生部1产生的高频功率通过同轴传送线路2传送到加热室3内的馈电天线4。此馈电天线4向加热室3内发射高频功率，另一方面，针对加热室3能够封闭的高频功率接受剩余的高频功率，将其向固体高频产生部逆传送。可是，在固体高频产生部1的输出部设置：抽出与发射功率量成比例的方向性耦合器、或组合抽出全部反射功率的循环器和方向性耦合器构成的反射功率检测部5，该反射功率检测部5等价检测出来自加热室的反射功率量。控制部7在反射功率检测部5的检测信号超过规定的基准电平时使固体高频产生部1的驱动电源6的工作停止，以便使作为固体高频产生部1的主要部件的固体元件不被破坏。在现有的高频发射装置中，还设置有报告部8，报告使用者根据反射功率的异常进行了高频加热的停止。

再有，按照根据固体元件可允许的损失功率量决定的最大反射功率量预先设定上述的检测信号的基准电平。更详细地，根据在反射功率检测部5装载循环器时附加的反射功率吸收用的虚载荷的允许损失功率量来设定基准电平。通过采取这样的结构，能够在防止未来固体元件或虚载荷的热破坏。

专利文献1JP特开昭61-27093号公报

发明内容

在现有的高频发射装置的控制方法中，提案有检测工作状态的半导体的状态，在破坏半导体前进行控制的方法。但是，由半导体构成的固体振荡器由于非常容易被破坏，所以检测高频放发射装置的工作状态的正当中破坏的可能性极高。即使暂时避免了破坏，但从所检测的状态降低输出、更何况使电源停止，从本来的高频发射装置的使用方法考虑如果可行也希望回避

因此，本发明鉴于上述课题，其目的在于，提供一种在具有固体振荡器和天线的高频发射装置中不破坏高频发射装置而使高频振荡的固体元件稳定地工作、同时提高加热效率和可靠性的高频发射装置及其制造方法。

为了实现上述目的，本发明的第1高频发射装置的控制方法，提供一种包括固体振荡器和天线的高频发射装置的控制方法，包括：步骤(a)，从上述固体振荡器通过上述天线发射高频；步骤(b)，检测从上述天线返回上述固体振荡器的上述高频；步骤(c)，根据在上述步骤(b)的检测结果调节从上述固体振荡器向上述天线传播的上述高频的发射/传播条件；步骤(d)，在上述步骤(c)之后，从上述固体振荡器通过上述天线对对象物发射上述高频。

通过此方法，由于能够防止从天线返回固体振荡器的高频的强度或功率的变大，所以能够防止固体振荡器的过热，能够安全地驱动高频发射装置。此外，通过步骤(c)，由于能够按最佳的放射/传播条件向对象物发射高频波，因此例如在使用高频加热对象物的情况下，能够高效地加热对象物。

再有，在步骤(b)进行检测的可以是返回固体振荡器的高频的强度或功率，在步骤(c)中，既可以比较检测出的强度或功率和规定的阈值，也可以将把检测出的功率等转换为符号值所得到的值与阈值比较等。