[发明专利]铝电解电容器的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及铝电解电容器的制作方法。

背景技术

现有的铝电解电容器应用广泛。生产制造企业有多家，如东阳光、南晖、三鑫天尼、东联盛、日本JCC、日本KDK等等企业。现有的制造工艺主要关注点在正极箔，通过提高正极箔的性能来提高电容器的性能。由于正极箔材料的限制，导致电容器性能的提高不易达到。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高电容器性能的铝电解电容器的制作方法。

本发明的目的可以这样实现，设计一种铝电解电容器的制作方法，包括以下步骤：

A、选择正态分布孔洞直径为0.05微米以上、腐蚀电压为160VF以上腐蚀的的铝箔作为电容的负极箔；

B、卷制素子；

C、将素子安装在外壳内，加入电解液。

本发明的目的也可以这样实现，一种铝电解电容器的制作方法，包括以下步骤：A、选择在10～20HZ交流条件下腐蚀、化成电压为1～50VF化成处理生产的正态分布孔洞直径为0.05～0.2微米的铝箔作为电容的负极箔；B、卷制素子；C、将素子安装在外壳内，加入电解液

本发明解决了因纹波电流和充放电引起的负极引出处离子富集现象以及局部发热现象，并减少电解液中离子堵塞引起的碰撞发热问题。提高电容器储能充放电性能、提高电容抗大波纹电流能力、提高电容在半波功率补偿能力。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步的描述。

一种铝电解电容器的制作方法，包括以下步骤：

A、选择正态分布孔洞直径为0.05微米以上的铝箔作为电容的负极箔；

B、卷制素子；

C、将素子安装在外壳内，加入电解液。

选择化成电压为1～250VF化成处理生产的正态分布孔洞直径为0.2微米以上的中高压腐蚀铝箔作为电容的负极箔。中高压在行业中通常是指160VF以上。中高压腐蚀铝箔采用直流条件腐蚀。

或选择在10～20HZ交流条件下腐蚀、化成电压为1～50VF化成处理生产的正态分布孔洞直径为0.05～2微米的铝箔作为电容的负极箔。

在选择现有技术中通常使用的铝箔作正极箔，选择上述铝箔作为负极箔后，对铝箔和电解纸进行载切；之后将正极箔和负极箔分别引出箔条，然后进行卷绕素子，卷绕完毕用胶带固定，浸渍电解液；之后进行组装，安装套管、铝壳、盖板、垫圈等；完成组装，进行老化和测试步骤后为成品。除选择负极箔材料外，其余的工艺步骤与现有技术中的生产工艺步骤相同，现有的工艺步骤可以在众多公开的资料中查询到，在此不一一详述。

所述卷制完毕的素子，可以有以下的方法作进一步改善，负极箔显露在素子外表面。卷制时，由内至外的排列为电解纸、正极箔、电解纸、负极箔；卷制完毕后，负极箔显露在素子外表面。

所述卷制素子步骤，负极箔在卷绕时预卷2～5圈。负极箔预卷改善卷芯发热的内气压，改善卷芯的尖端放电引起的内气压。

所述负极箔与电解纸在底部平。负极箔的总面积略大于正极箔的总面积。

实施例一：节能灯电容400V、1UF、8X16，要求耐大纹波电流100KHZ≥120mA。日本松下采用以下技术：采用大孔单列正箔厚75um、620VF、比容0.18uf/cm²，负箔选用普通纯铝负箔厚30um、比容40uf/cm²；本发明采用普通正箔620VF、厚90um、比容0.28uf/cm²；负箔选用18V、厚50um、比容7uf/cm²大孔负箔。

实施例二：金卤灯电子镇流器用220UF/450V电容105℃，耐大纹波；韩国三和采用660VF+30um、30uf/cm²纯铝箔；本公司采用620VF+18VF、厚50um、比容7uf/cm²大孔负箔，使用在金卤灯电子镇流器中，效果一致。

实施例三：采用本发明制作的铝电解电容器与日立、黑金刚同类电容器的参数对比表，电容为475V/1000UF。