[发明专利]降低封装翘曲度的热处理方法无效
| 申请号： | 200810096293.2 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101271851A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张云龙;黄奕铭;陈星豪 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 封装 曲度 热处理 方法 | ||
1.一种用以降低封装翘曲度的热处理方法，其特征在于，该热处理方法包括：
提供一导线架型半导体封装半成品，该导线架型半导体封装半成品包括：
一导线架，该导线架包含多个封装单元；以及
一封胶体，该封胶体包覆该些个封装单元；
导入一加热方法，该加热方法设有一置入温度以及一峰值温度，其中该导线架型半导体封装半成品的温度由该置入温度经一热反应时间而到达该峰值温度，并使该导线架型半导体封装半成品的形变量降低或使该导线架与该封胶体间的应力得以释放以降低翘曲度，该峰值温度设定在190度～260度之间。
2.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述峰值温度更进一步设定在220度～240度之间。
3.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述置入温度约为110度。
4.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述热反应时间设定在200秒～300秒之间。
5.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述加热方法用以取代后段烘烤固化方法。
6.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述加热方法于后段烘烤固化方法之后导入。
7.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，还包括导入一快速冷却方法，该快速冷却方法设有一冷却最终温度以及一冷却斜率，其中该导线架型半导体封装半成品的温度由该峰值温度经该冷却斜率而到达该冷却最终温度。
8.如权利要求7所述的热处理方法，其特征在于，所述冷却斜率设为每秒下降0.8度～1.6度之间。
9.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述导入该加热方法时，还包括注入一化学性质安定的气体于加热该导线架型半导体封装半成品的一反应炉中，所述化学性质安定的气体包括氮气。
10.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述该些封装单元为四方扁平无引脚封装单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
