[发明专利]半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件

说明书

相关申请的相互参考

本申请要求于2007年3月6日提出的日本专利申请JP2007-056209和于2008年2月12日提出的日本专利申请JP2008-30808的优先权。并引用上述申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及一种半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件，尤其涉及一种在基板上形成有半导体激光元件部的半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。

背景技术

在现有技术中，已知在基板上形成有半导体激光元件部的半导体激光元件的制造方法。例如在日本特开2005-209950号公报中公开有这样的半导体激光元件的制造方法。

在上述日本特开2005-209950号公报中公开有包括以下工序的半导体激光元件的制造方法：在半导体基板上隔着规定的间隔形成多个第一激光振荡部的工序；在蓝宝石基板上隔着规定的间隔形成多个第二激光振荡部(半导体激光元件部)的工序；将蓝宝石基板上的所有第二激光振荡部分别与半导体基板上的第一激光振荡部接合的工序；和将半导体基板分割成每个第二激光振荡部的工序。

但是，在日本特开2005-209950号公报所公开的半导体激光元件的制造方法中，因为将在蓝宝石基板上隔着规定的间隔形成的所有第二激光振荡部分别与半导体基板上的第一激光振荡部接合之后，将半导体基板分割成每个第二激光振荡部，所以当为了使每一片蓝宝石基板的第二激光振荡部的数量增加而减小形成于蓝宝石基板上的第二激光振荡部(半导体激光元件部)的宽度时，分割后的半导体基板的宽度也变小。因此，存在由于半导体激光元件的宽度变小而导致半导体激光元件变得难以处理(handling)这样的问题。

发明内容

本发明的第一方面的半导体激光元件的制造方法包括：在第一基板上，在与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔着规定的间隔形成多个第一半导体激光元件部的工序；将多个第一半导体激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；将与第二基板接合的多个第一半导体激光元件部中的一部分从第一基板剥离的工序；和沿第二方向分割第二基板的工序。

本发明的第二方面的半导体激光元件具有：基板；第一半导体激光元件部，其在基板的表面上形成且具有谐振器；和电极层，其与第一半导体激光元件部的与基板相反的一侧的表面电连接，且以在与第一半导体激光元件部邻接的基板的表面上延伸的方式形成，其中，基板的与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向的长度比半导体激光元件部的第二方向的长度大。

本发明的第三方面的半导体激光元件包括：基板；第一半导体激光元件部，其在基板的表面上形成且具有谐振器；和电极层，其形成在第一半导体激光元件部的与基板相反的一侧的表面上，其中，基板的与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向的长度比第一半导体激光元件部的第二方向的长度大，第一半导体激光元件部具有在第二方向上突出的突出部。

本发明的第四方面的半导体激光元件包括：基板；多个半导体激光元件部，其在基板的表面上形成且具有谐振器；和电极层，其与多个半导体激光元件部的与基板相反的一侧的表面电连接，且以在与多个半导体激光元件部邻接的基板的表面上延伸的方式形成，其中，多个半导体激光元件部在与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔着规定的间隔形成，规定的间隔比多个半导体激光元件部的上述第二方向的长度大。

附图说明

图1是用于说明本发明的半导体激光元件的概要结构的平面图。

图2是沿图1的1000-1000线的截面图。

图3是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的截面图。

图4是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的平面图。

图5是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的截面图。

图6是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的底面图。

图7是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的截面图。

图8是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的截面图。

图9是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的截面图。

图10是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的平面图。

图11是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的平面图。

图12是用于说明图1所示的半导体激光元件的概要的制造工序的平面图。

图13是本发明的第一实施方式的半导体激光元件的底面图。

图14是沿图13的1100-1100线的截面图。