[发明专利]半导体蚀刻残渣清除剂和清洁剂组合物

权利要求书

1用于半导体设备的清洁组合物，选自水性和半水性组合物，包括：(a)约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸；(b)按比例与上述酸形成有效缓冲液的无金属碱；(c)约20-约95％的水；(d)约0-约60％的可与水混合的有机溶剂；以及(e)约0.25-约5％的氟化物源。

2.权利要求1所述用于半导体设备的水性清洁组合物，包括：(a)约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸；(b)按比例与上述酸形成有效缓冲液的无金属碱；(c)约20-约95％的水；和(d)约0.25-约5％氟化物源。

3.权利要求1所述用于半导体设备的半水性清洁组合物，包括：(a)约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸；(b)按比例与上述酸形成有效缓冲液的无金属碱；(c)约20-约60％的水；(d)约30-约60％的可与水混合的有机溶剂；以及(e)约0.25-约5％的氟化物源。

4.权利要求2的清洁组合物，其中水溶性多质子羧酸选自柠檬酸和酒石酸，以及氟化物源是氟化铵。

5.权利要求2的清洁组合物，含有选自金属腐蚀抑制剂和螯合剂的添加剂。

6.权利要求2的清洁组合物，包含表面活性剂。

7.权利要求4的清洁组合物，其中水溶性多质子羧酸选自柠檬酸和酒石酸。

8.权利要求3的半水性清洁组合物，含有选自金属腐蚀抑制剂和螯合基的添加剂。

9.权利要求3的半水性清洁组合物，包含表面活性剂。

10.权利要求3的半水性清洁组合物，其中所述多羧酸是酒石酸，无金属碱是单乙醇胺，并且氟化物源是氟化铵。

11.权利要求5的半水性清洁剂配方，其中有机多质子羧酸是柠檬酸，以及配方含有约0.5-20％的单乙醇胺，和约0.25-3％的作为氟化物源的氟化铵。

12.权利要求10的水性清洁组合物，其中多质子羧酸是酒石酸并以约0.5-约5％的量存在，无金属碱是单乙醇胺，以及氟化铵存在的量为约0.25-约3％。

13.权利要求10的水性清洁组合物，其中多羧酸是柠檬酸。

14.制备选自水性和半水性组合物的半导体蚀刻残渣清洁剂配方的方法，包括步骤：(a)向反应釜中引入约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸，以及按比例与所述酸形成有效缓冲液的无金属碱；(b)向所述反应釜引入约20-约95％的水；以及(c)在防止结块的搅拌速率下加入约0-约60％的可与水混合的有机溶剂，约0.25-约5％的氟化物源。

15.权利要求14所述制备用于半导体设备的水性清洁剂配方的方法，包括(a)向反应釜中引入约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸与按比例与所述酸形成有效缓冲液的无金属碱的混合物，所述反应釜中含有约20-约25％的水；和(b)约0.25-约5％的氟化物源并且反应所述混合物。

16.权利要求14所述制备用于半导体设备的半水性清洁剂配方，包括(a)向反应釜中引入约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸与按比例与所述酸形成有效缓冲液的无金属碱的混合物，所述反应釜中含有约20-约60％的水；和(b)约30-60％的可与水混合的有机溶剂；以及(c)约0.25-约5％的氟化物源，并且搅拌所述混合物直至均相。