[发明专利]薄膜液晶显示器及调节薄膜液晶显示器白点色温的方法无效
申请号: | 200810096615.3 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101344692A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 林俊良;徐雅玲;王俊杰;王英力;廖烝贤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/02;G09G3/34 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 液晶显示器 调节 白点 色温 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器,特别是涉及一种能对白光发光二极管背光模组的显示器白点色温进行调节的液晶显示器。
背景技术
双发光层白光器件是白光器件中比较常见的结构形式,利用蓝光发光二极管晶粒加上黄色荧光粉使发出白光的白光发光二极管,拥有体积小、高辉度、无水银等优点,而逐渐被应用在液晶显示器的背光模块上。
由于人眼视觉对于相对的亮度和色度非常敏感,因此若要将发光二极管应用于背光源,为了避免显示器因为发光二极管背光的颜色不均匀而影响色彩显示的效果,对封装后的白光发光二极管会按照发光强度、发光颜色等特性进行测试分选(分Bin)。如图1所示,一批白光发光二极管产出之后其色度分布范围很广,然而,显示器有一特定的白点及色温规格,对显示器制造端而言,为了达到规格的白点色温则必须选用特定Bin区的发光二极管,而规格范围外的发光二极管就无法使用,或是必须以较高的价格购买特定Bin区的发光二极管。由于显示器的成本在整个电脑的生产成本中占有很大比重,因此,降低显示器的生产成本对制造商而言,具有重要意义。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种薄膜液晶显示器,至少包括一白光发光二极管背光源和一薄膜晶体管矩阵,该薄膜晶体管矩阵的显示区上覆盖有一透明无机层,该透明无机层至少包括一导电层和一复合穿透率调节层,该复合穿透率调节层包括玻璃基片、形成于该玻璃基片上的第一氮化硅层,以及形成于该第一氮化硅层上的第一氧化硅层。
所述透明无机层还包括形成于该第一氧化硅层上的第二氮化硅层,以及形成于该第二氮化硅层上的第二氧化硅层。
具有所述透明无机层的所述薄膜晶体管矩阵的显示区满足函数关系式:TB/TY介于2~1.1和0.9~0.5之间,TB为在460nm波长时的穿透率,TY为在580nm波长时的穿透率。所述的第一氧化硅层、第二氮化硅层,以及第二氧化硅层,是利用五道光刻工艺的第四道掩模版来定义图案。
在维持液晶显示器颜色色度和白点色温的条件下,可选用的白光发光二极管背光源的色度值范围为,x轴:0.035,y轴:0.069。
本发明目的之二在于提供一种调节液晶显示器白点色温的方法,该方法包括如下步骤:
a.在一薄膜晶体管矩阵的显示区上形成一多层膜结构的介电材料层,包括步骤:
在一玻璃基板上形成一第一氮化硅层;
在所述第一氮化硅层上形成一第一氧化硅层;
在所述第一氮化硅层上形成一第二氮化硅层;
在所述第二氮化硅层上形成一第二氧化硅层;
在所述第二氧化硅层上形成一导电层;
b.调节所述第一氧化硅层、所述第二氮化硅层,以及所述第二氧化硅层的厚度,获得所需白点色温。
所述薄膜晶体管矩阵的显示区满足函数关系式:TB/TY介于2~1.1和0.9~0.5之间,TB为在460nm波长时的穿透率,TY为在580nm波长时的穿透率。
在维持液晶显示器颜色色度和白点色温的条件下,选用的白光发光二极管背光源的色度值范围为,x轴:0.035,y轴:0.069。
所述的第一氧化硅层、第二氮化硅层,以及第二氧化硅层,是利用五道光刻工艺的第四道掩模版来定义图案。
本发明在现有薄膜晶体管矩阵的显示区的结构中的玻璃基板和导电层之间增加无机层,通过调整该无机层的厚度来调整不同波长的相对穿透率,进而调整白光发光二极管背光模组的显示器白点色温。本发明在维持显示器颜色色度和白点色温的条件下,扩大了可选用的发光二极管的色度值涵盖范围,降低了显示器成本。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1显示同一批产出的白光发光二极管的色度分布范围;
图2显示现有技术中的一种薄膜晶体管矩阵的显示区的结构示意图;
图3显示依据本发明的一实施例的薄膜晶体管矩阵的显示区的结构示意图;
图4显示依据本发明的图3所示的结构的两个模型对不同波长的光的穿透率的示意图;
图5显示依据本发明的图3所示的结构的两个模型对白点色温进行调整的示意图;以及
图6显示依据本发明的薄膜晶体管矩阵可搭配的白色发光二极管的色度范围。
图中,11、21,玻璃基板,12、22,第一氮化硅层,13、23,第二氮化硅层,14、24,氧化铟锡导电层,25,第一氧化硅层,26,第二氧化硅层。
具体实施方式
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