[发明专利]使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制

权利要求书

1.一种使用光学计量对制造集群进行控制的方法，所述方法包括：

使用第一制造集群在晶片上执行制造工序；

产生光子纳米喷射，其中，所述光子纳米喷射为在电介质微球体的遮蔽侧表面引起的光学强度图案；

使用所述光子纳米喷射扫描所述晶片上的监测区域；

随着使用所述光子纳米喷射扫描所述监测区域，获得来自所述电介质微球体的回射光的测量数据；

使用获得的所述回射光的测量结果确定所述监测区域中结构的存在状态；以及

基于所述监测区域中结构存在状态的确定结果，调节所述第一制造集群的一个或多个工艺参数。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括：

使用获得的所述回射光的测量结果确定所述监测区域中的所述结构的高度和宽度；以及

基于确定的所述监测区域中所述结构的高度和宽度，调节所述第一制造集群的所述一个或多个工艺参数。

3.根据权利要求2的方法，其中，确定所述结构的高度和宽度包括：

使用所述回射光的测量结果，产生测得反向散射信号；

从反向散射信号以及对应结构的高度和宽度的库，确定对于所述测得反向散射信号的匹配反向散射信号；以及

将所述监测区域中所述结构的高度和宽度确定为来自所述库的匹配反向散射信号的相应的高度和宽度。

4.根据权利要求2的方法，进一步包括：

基于所述监测区域中确定的结构的高度和宽度，调节第二制造集群的一个或多个工艺参数。

5.根据权利要求4的方法，其中，所述第二制造集群先于所述第一制造集群处理晶片，或者，所述第二制造集群在所述第一制造集群之后处理晶片。

6.根据权利要求1的方法，其中，所述结构选自由栅、线、接触孔、通孔、漏和周期性结构构成的组，或者，所述结构为杂质粒子。

7.根据权利要求1的方法，进一步包括：

基于所述监测区域中结构的存在状态的确定结果，调节第二制造集群的一个或多个工艺参数。

8.根据权利要求7的方法，其中，所述第二制造集群先于所述第一制造集群处理晶片，或者，所述第二制造集群在所述第一制造集群之后处理晶片。

9.一种计算机可读存储媒介，其包含用来使计算机使用光学计量控制制造集群的计算机可执行指令，所述计算机可读存储媒介包括用于下列内容的指令：

随着使用光子纳米喷射扫描所述监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据，其中，所述光子纳米喷射为在电介质微球体的遮蔽侧表面引起的光学强度图案，并且，使用第一制造集群在晶片上执行制造工艺；

使用获得的所述回射光的测量结果确定监测区域中结构的存在状态；以及

基于所述监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节所述第一制造集群的一个或多个工艺参数。

10.根据权利要求9所示的计算机可读存储媒介，进一步包括用于下述内容的指令：

使用获得的回射光测量结果确定所述监测区域中所述结构的高度和宽度。

11.根据权利要求10的计算机可读存储媒介，其中确定结构的高度和宽度包括用于下述内容的指令：

使用回射光的测量结果产生测得反向散射信号；

从反向散射信号以及对应的结构的高度和宽度的库，确定对于所述测得反向散射信号的匹配反向散射信号；以及

将所述监测区域中所述结构的高度和宽度确定为来自所述库的匹配反向散射信号的相应的高度和宽度。

12.根据权利要求10的计算机可读存储媒介，进一步包括用于下述内容的指令：

基于确定的所述监测区域中所述结构的高度和宽度，调节第二制造集群的一个或多个工艺参数。

13.根据权利要求11的计算机可读存储媒介，其中，所述第二制造集群先于所述第一制造集群处理晶片，或者，所述第二制造集群在所述第一制造集群之后处理晶片。

14.根据权利要求11的计算机可读存储媒介，进一步包括用于下述内容的指令：

基于所述监测区域中所述结构的存在状态的确定结果，调节第二制造集群的一个或多个工艺参数。