[发明专利]半导体发光元件及其晶粒制作方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含：

一衬底；

一外延层，生长于该衬底的正面；

至少一金属反射层，形成于该衬底的背面；以及

一保护层，形成于该金属反射层之上并包覆该金属反射层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该衬底是一蓝宝石衬底或一碳化硅衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该外延层是氮化镓外延层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该至少一金属反射层包含一层金属铝、金属银或金属钛。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该至少一金属反射层由该衬底至该保护层依序为金属铝、金属钛和金属银。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该保护层是一金锡层。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该保护层和该衬底相连接并形成一密封该至少一金属反射层的空间。

8.一种半导体发光元件的晶粒制作方法，包含下列步骤：

形成光致抗蚀剂于一半导体发光元件的衬底上一表面的外围；

于该光致抗蚀剂围合的空间内形成至少一层金属反射层在该衬底上；

去除该光致抗蚀剂；以及

形成一包覆该至少一金属反射层的保护层。

9.根据权利要求8所述的晶粒制作方法，其中该至少一层金属反射层包含一层金属铝、金属银或金属钛。

10.根据权利要求8所述的晶粒制作方法，其中该至少一层金属反射层由形成次序依序为金属铝、金属钛和金属银。

11.根据权利要求8所述的晶粒制作方法，其中该保护层是一金锡层。

12.根据权利要求8所述的晶粒制作方法，其中该衬底是一蓝宝石衬底或一碳化硅衬底。

13.根据权利要求8所述的晶粒制作方法，其中该光致抗蚀剂是形成于该晶粒的预留切割道。

14.根据权利要求8所述的晶粒制作方法，其中该光致抗蚀剂是形成于该衬底对应该半导体发光元件的外延层的另一侧。