[发明专利]驱动装置无效
申请号: | 200810097158.X | 申请日: | 2008-05-19 |
公开(公告)号: | CN101309347A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 崎冈洋司;牧野荣治 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H04N3/15 | 分类号: | H04N3/15;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 装置 | ||
1.一种驱动像素的驱动装置,包含:
第一pMOS型晶体管,与第一电位连接;
第一nMOS型晶体管,与所述第一pMOS型晶体管串联并与第二电位连接;和
控制部分,配置成利用控制所述第一pMOS型晶体管和所述第一nMOS型晶体管之一的接通定时的第一接通信号分别控制所述第一pMOS型晶体管和所述第一nMOS型晶体管,
其中,所述第一pMOS型晶体管与所述第一nMOS型晶体管之间的节点上的电位的信号作为驱动像素的驱动信号输入像素中。
2.根据权利要求1所述的驱动装置,其中,所述控制部分分别控制所述第一pMOS型晶体管和所述第一nMOS型晶体管,以便控制在其间所述节点上的电位是第一电位时的第一电位时段、在其间在所述节点上的电位是第二电位时的第二电位时段和在其间所述节点被置于高阻抗时的高阻抗时段的长度和开始定时。
3.根据权利要求2所述的驱动装置,其中,所述控制部分控制第一电位时段、第二电位时段以及高阻抗时段的长度和开始定时,以便一旦从第一和第二电位时段之一过渡到另一个时段,就提供高阻抗时段。
4.根据权利要求1所述的驱动装置,进一步包含:
第二晶体管,为与所述第一pMOS型晶体管并联并与第三电位连接的第二pMOS型晶体管以及与所述第一nMOS型晶体管并联并与第三电位连接的第二nMOS型晶体管之一,
其中,所述控制部分利用控制所述第二晶体管的接通定时的第一接通信号和第二接通信号分别控制所述第一pMOS型晶体管、第一nMOS型晶体管和第二晶体管;以及
其中,所述第一pMOS型晶体管、所述第一nMOS型晶体管和第二晶体管之间的节点上的电位的信号作为驱动信号输入至所述像素。
5.根据权利要求4所述的驱动装置,其中,所述控制部分分别控制所述第一pMOS型晶体管、所述第一nMOS型晶体管和第二晶体管,以便控制在其间所述节点上的电位是第一电位时的第一电位时段、在其间所述节点上的电位是第二电位时的第二电位时段、在其间所述节点上的电位是第三电位时的第三电位时段以及在其间所述节点被置于高阻抗时的高阻抗时段的长度和开始定时。
6.根据权利要求5所述的驱动装置,其中,所述控制部分控制第一、第二和第三电位时段以及高阻抗时段的长度和开始定时,以便一旦从第一、第二和第三电位时段之一过渡到另一个时段,就提供高阻抗时段。
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