[发明专利]肖特基二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 200810097192.7 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101315952A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·T·库杜斯;杜尚晖;A·罗斯帕尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/06;H01L21/329;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成肖特基二极管的方法，其包括：
提供具有第一掺杂浓度并具有表面的第一传导类型的半导体衬 底；
在所述半导体衬底上形成具有第二掺杂浓度的第二传导类型的第 一区域；
形成具有比第二掺杂浓度高的第三掺杂浓度的第二传导类型的第 二区域，包括在所述半导体衬底的表面上形成第二区域，并使其与第 一区域重叠；
在所述第二区域上形成导体以形成肖特基结，所述肖特基结覆盖 所述第一区域的一部分；
形成处于所述半导体衬底上并包围所述肖特基结的外边缘的保护 环；以及
形成覆盖所述半导体衬底的表面并位于所述保护环和场氧化区的 一部分之间的MOS栅极。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：形成与所述第一区域重叠 并且与所述第二区域间隔开第一距离的具有第四掺杂浓度的所述第二 传导类型的第三掺杂区，其中，所述第四掺杂浓度大于所述第二掺杂 浓度。
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