[发明专利]有机薄膜太阳能电池半导体薄膜及其形成方法、制造方法

权利要求书

1、一种有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，具有一粗糙表面，其是通过在至少包含一有机半导体材料的涂布液中加入一固型物质，再将该涂布液涂布在一界面上之后，移除该涂布液中的溶剂，并升华该固型物质所形成。

2、根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该半导体材料为一共轭聚合物。

3、根据权利要求2所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该共轭聚合物为聚噻吩衍生物、聚对苯撑乙烯衍生物、聚芴衍生物、富勒烯衍生物、或芘衍生物。

4、根据权利要求3所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该聚噻吩衍生物为聚3-己基噻吩衍生物。

5、根据权利要求3所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该聚对苯撑乙烯衍生物为聚[2-甲氧基，5-(30，70-二甲基-辛烷基)]-对-苯撑乙烯衍生物。

6、根据权利要求3所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该聚芴衍生物为聚(9，9’-二辛芴-双-N，N’-(4-丁苯基)-双-N，N’-苯基-1，4-苯撑基-二胺)衍生物。

7、根据权利要求3所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该富勒烯衍生物为[6，6]苯基C61丁酸甲酯。

8、根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该溶剂为苯、甲苯、对二甲苯、二氯苯、三氯苯、三氯甲烷、或四氢呋喃。

9、根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池半导体薄膜，其特征在于，所用的该固型物质为樟脑及其衍生物、萘及其衍生物或蒽及其衍生物。

10、一种形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该方法至少包含：

提供一涂布液，其至少包含半导体材料、溶剂及固型物质；

涂布该涂布液在一界面上；

移除该溶剂；以及

升华该固型物质。

11、根据权利要求10所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该半导体材料为一共轭聚合物。

12、根据权利要求11所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该共轭聚合物为聚噻吩衍生物、聚对苯撑乙烯衍生物、聚芴衍生物、富勒烯衍生物、或芘衍生物。

13、根据权利要求12所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该聚噻吩衍生物为聚3-己基噻吩衍生物。

14、根据权利要求12所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该聚对苯撑乙烯衍生物为聚[2-甲氧基，5-(30，70-二甲基-辛烷基)]-对-苯撑乙烯衍生物。

15、根据权利要求12所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该聚芴衍生物为聚(9，9’-二辛芴-双-N，N’-(4-丁苯基)-双-N，N’-苯基-1，4-苯撑基-二胺)衍生物。

16、根据权利要求12所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该富勒烯衍生物为[6，6]苯基C61丁酸甲酯。

17、根据权利要求10所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该方法还包含在形成该半导体结构的步骤中，退火处理该半导体结构。

18、根据权利要求10所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该溶剂为苯、甲苯、对二甲苯、二氯苯、三氯苯、三氯甲烷、或四氢呋喃。

19、根据权利要求10所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其特征在于，该固型物质可以是樟脑及其衍生物、萘及其衍生物或蒽及其衍生物。

20、根据权利要求10所述的形成有机薄膜太阳能电池半导体结构的方法，其其特征在于，该升华固型物质的步骤是利用加热。