[发明专利]基于第Ⅲ族氮化物的化合物半导体发光器件

权利要求书

1.一种具有透明电极的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极包含用至少一种选自以下物质掺杂的氧化钛：铌(Nb)、钽(Ta)、钼(Mo)、砷(As)、锑(Sb)、铝(Al)和钨(W)，掺杂的摩尔比为相对于钛(Ti)的1～10％，并且所述透明电极在其至少一部分上具有浮凸。

2.根据权利要求1所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极包含选自氧化钛铌和氧化钛钽中的至少一种，其中铌(Nb)和钽(Ta)对钛(Ti)的摩尔比分别为3～10％。

3.根据权利要求1所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半导体接触层，并且在所述透明电极和所述接触层之间没有由不同于所述接触层和所述透明电极的材料制成的层。

4.根据权利要求2所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半导体接触层，并且在所述透明电极和所述接触层之间没有由不同于所述接触层和所述透明电极的材料制成的层。

5.根据权利要求3所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极与所述接触层接触，并且所述透明电极与所述接触层的折射率之比为0.98～1.02。

6.根据权利要求4所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极与所述接触层接触，并且所述透明电极与所述接触层的折射率之比为0.98～1.02。

7.根据权利要求1所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半导体接触层，并且在所述透明电极和所述接触层之间仅有透明导电层，所述透明导电层由不同于所述接触层和所述透明电极的材料制成，并且其厚度为所述透明导电层中所发射光的波长的四分之一或更小。

8.根据权利要求2所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半导体接触层，并且在所述透明电极和所述接触层之间仅有透明导电层，所述透明导电层由不同于所述接触层和所述透明电极的材料制成，并且其厚度为所述透明导电层中所发射光的波长的四分之一或更小。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极为p-电极。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极为n-电极。

11.根据权利要求1至8中任意一项所述的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极具有第一电极和第二电极，所述第一电极为p-电极并且所述第二电极为n-电极。