[发明专利]半导体元件中高压漂移的制造方法

权利要求书

1.用于形成半导体元件的高压漂移的方法，包括：

在具有高压阱的半导体衬底上形成垫片绝缘薄膜；然后 通过对所述垫片绝缘薄膜的一部分进行图案化打开所述 半导体衬底的一个区域；然后

对所述半导体衬底的该打开的区域进行蚀刻以形成沟 槽；然后

采用该图案化的垫片绝缘薄膜作为掩模通过进行第一离 子注入工艺在所述半导体衬底中形成第一漂移；然后

通过将元件隔离材料填缝在所述沟槽内形成元件隔离薄 膜；然后

除去该图案化的垫片绝缘薄膜并随后形成与所述元件隔 离薄膜的一部分重叠的栅极电极；然后

在由所述栅极电极暴露的所述半导体衬底的区域内通过 进行第二离子注入工艺形成与所述第一漂移相连接的第二漂 移，

其中所述第一和第二离子注入工艺在相同的工艺条件下 进行，以及

其中所述第一漂移包括第一n-漂移而第二漂移包括第二 n-漂移。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽是通过各向同性蚀 刻形成的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽的深度是根据所述 半导体元件的驱动电压确定的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述垫片绝缘薄膜是采用 SiN形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述元件隔离薄膜是采用 O₃TEOS薄膜形成的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极电极是采用导电薄 膜形成的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电薄膜由未掺杂的和 掺杂的多晶硅薄膜中的一种形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述未掺杂的硅薄膜是采用 SiH₄和Si₂H₆中的一种通过LPCVD法形成的。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述掺杂的硅薄膜是采用 SiH₄和PH₃或Si₂H₆和PH₃通过LPCVD法形成的。

10.用于形成半导体元件的高压漂移的方法，包括：

在具有高压晶体管区域和逻辑区域的半导体衬底上形成 垫片绝缘薄膜；然后

通过对所述垫片绝缘薄膜的一部分进行图案化打开所述 半导体衬底的一个区域；然后

对所述半导体衬底的该打开的区域进行蚀刻并随后形成 第一沟槽；然后

采用该图案化的垫片绝缘薄膜作为掩模通过进行第一离 子注入工艺在所述半导体衬底内形成第一漂移；然后

通过对所述半导体衬底的一部分进行蚀刻来形成第二沟 槽以便将所述高压晶体管区域与所述逻辑区域隔离；然后

通过将隔离材料填缝在所述第一和第二沟槽内形成第一 和第二元件隔离薄膜；然后

除去该图案化的垫片绝缘薄膜并随后形成与所述第一元 件隔离薄膜的一部分重叠的栅极电极；然后

在由所述栅极电极暴露的所述半导体衬底的区域内通过 进行第二离子注入工艺形成与所述第一漂移相连接的第二漂 移，

其中所述第一和第二离子注入工艺在相同的工艺条件下 进行，以及

其中所述第一漂移包括第一n-漂移而第二漂移包括第二 n-漂移。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一沟槽是通过各向 同性蚀刻工艺形成的。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二沟槽是通过各向 异性蚀刻工艺形成的。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一沟槽的深度是根 据所述高压晶体管的驱动电压确定的。