[发明专利]半导体发光装置有效

专利信息
申请号: 200810098406.2 申请日: 2008-05-26
公开(公告)号: CN101325195A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 安食秀一;川上康之;赤木努;原田光范 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体发光装置,该半导体发光装置包括:

多个半导体发光器件,每个所述半导体发光器件都具有上表面和侧 表面,所述多个半导体发光器件彼此隔开,在相邻半导体发光器件的侧 表面之间具有间隙;和

波长转换层,该波长转换层包含用于对由所述多个半导体发光器件 发射的光的至少一部分进行波长转换的波长转换材料,所述波长转换层 被形成为桥接全部所述多个半导体发光器件的所述上表面,其中,

所述多个半导体发光器件之间的所述间隙填充有包括反射部件、散 射部件和空气中的任一种的填充部件,并且,所述填充部件比所述半导 体发光器件的所述上表面高。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其中,所述半导体发光 器件包括不透明器件基板和形成在所述不透明器件基板上并且具有侧表 面的半导体层叠部,所述半导体层叠部的所述侧表面覆盖有所述波长转 换层。

3.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其中,所述半导体发光 器件包括透明器件基板和形成在所述透明器件基板上并且具有侧表面的 半导体层叠部,所述半导体发光器件的不面向另一半导体发光器件的所 述侧表面覆盖有所述波长转换层和反射层中的任何层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其中,所述波长转换层 的与所述间隙相对应的部分比所述波长转换层在所述半导体发光器件的 所述上表面的厚度更薄。

5.根据权利要求1到4中的任一项所述的半导体发光装置,其中, 所述波长转换材料是荧光体。

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