[发明专利]制备超微细合金的方法无效
申请号: | 200810098420.2 | 申请日: | 2008-05-08 |
公开(公告)号: | CN101307399A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 丹尼·T·肖;克里斯·W·斯特罗克 | 申请(专利权)人: | 英孚拉玛特公司 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C29/08 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 微细 合金 方法 | ||
1.制备超微细合金的方法,所述方法包含:
将晶粒生长抑制剂聚合物前体结合至合成超微细材料的组合物;
从含有所述结合前体的组合物合成所述超微细材料;
在合成所述超微细材料之前将合金添加剂结合至合成所述超微细 材料的组合物,或者,结合至刚合成的超微细材料以制备超微细合金- 晶粒生长抑制剂聚合物前体复合物;和
将所述超微细合金-晶粒生长抑制剂聚合物前体复合物处理以转化 该晶粒生长抑制剂聚合物前体成晶粒生长抑制剂。
2.权利要求1的方法,其中所述合成步骤包括水溶液反应、无机 溶液反应、惰性气体冷凝、化学蒸气沉积、机械合金化或热化学转化。
3.权利要求1的方法,其中所述超微细材料包含纳米结构晶粒、 超微细晶粒或包含至少一种上述晶粒的组合。
4.权利要求1的方法,其中所述晶粒生长抑制剂包含金属、金属 合金、金属碳化物、金属间化合物、陶瓷或包含至少一种上述材料的组 合。
5.权利要求1的方法,其中所述晶粒生长抑制剂聚合物前体包含 水溶性聚合物前体或低熔聚合物前体。
6.权利要求1的方法,其中所述晶粒生长抑制剂是TiC、BN或包 含至少一种上述晶粒生长抑制剂的组合,其中所述超微细材料是 WC/Co,且所述合金添加剂是Cr、TiC、Mo或包含至少一种上述合金 添加剂的组合。
7.权利要求1的方法,其中所述超微细材料包含金属、金属合金、 金属陶瓷、金属间化合物、陶瓷、陶瓷-陶瓷复合物或包含至少一种上 述材料的组合。
8.权利要求1的方法,其中所述超微细材料选自Cu、FeCu、FeCo、 NiAl、MoC、MoSi、NiCr、TiC、Mo2Si、NiCr/Cr3C2、Fe/TiC、Ni/TiC、 Mo/TiC和WC/Co,上述金属与Ti、Cr、Mo、Ni、Zr、Ce、Fe、Al、 Si、V、TiC、Mn、Y、W中的一种或多种的合金,和包含至少一种上 述材料的组合。
9.权利要求1的方法,其中所述合金添加剂包含金属粉末、陶瓷 粉末或包含至少一种上述粉末的组合。
10.权利要求1的方法,其中所述合金添加剂包含Ti、Cr、Mo、 Ni、Zr、Ce、Fe、Al、Si、V、TiC、Mn、Y、W、前述添加剂的合金、 前述添加剂的氮化物或前述添加剂的金属间化合物。
11.权利要求1的方法,其中所述处理步骤包含在对降解所述该晶 粒生长抑制剂聚合物前体有效的温度下加热处理所述复合物。
12.制备超微细合金的方法,所述方法包含:
合成含有超微细颗粒的超微细材料;
用晶粒生长抑制剂聚合物前体将所述超微细颗粒包衣;
在合成之前将合金添加剂结合至合成所述超微细材料的组合物,或 者,结合至所述刚合成的超微细材料以至于制备超微细合金-晶粒生长 抑制剂聚合物前体组合物作为所述包衣的结果;和
将所述超微细合金-晶粒生长抑制剂聚合物前体组合物处理以将所 述晶粒生长抑制剂聚合物前体至少部分转化为晶粒生长抑制剂。
13.权利要求12的方法,其中通过将晶粒生长抑制剂聚合物前体 和所述合金添加剂与用于所述超微细颗粒的包衣的溶液相组合,将所述 合金添加剂结合至所述刚合成的超微细材料。
14.权利要求12的方法,其中通过在包衣之前将所述合金添加剂 与所述超微细颗粒一起球磨,将所述合金添加剂结合至所述刚合成的超 微细材料。
15.权利要求12的方法,其中所述合成步骤包括水溶液反应、无 机溶液反应、惰性气体冷凝、化学蒸气沉积、机械合金化、或热化学转 化。
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