[发明专利]制备超微细合金的方法无效

专利信息
申请号: 200810098420.2 申请日: 2008-05-08
公开(公告)号: CN101307399A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 丹尼·T·肖;克里斯·W·斯特罗克 申请(专利权)人: 英孚拉玛特公司
主分类号: C22C1/04 分类号: C22C1/04;C22C29/08
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制备 微细 合金 方法
【权利要求书】:

1.制备超微细合金的方法,所述方法包含:

将晶粒生长抑制剂聚合物前体结合至合成超微细材料的组合物;

从含有所述结合前体的组合物合成所述超微细材料;

在合成所述超微细材料之前将合金添加剂结合至合成所述超微细 材料的组合物,或者,结合至刚合成的超微细材料以制备超微细合金- 晶粒生长抑制剂聚合物前体复合物;和

将所述超微细合金-晶粒生长抑制剂聚合物前体复合物处理以转化 该晶粒生长抑制剂聚合物前体成晶粒生长抑制剂。

2.权利要求1的方法,其中所述合成步骤包括水溶液反应、无机 溶液反应、惰性气体冷凝、化学蒸气沉积、机械合金化或热化学转化。

3.权利要求1的方法,其中所述超微细材料包含纳米结构晶粒、 超微细晶粒或包含至少一种上述晶粒的组合。

4.权利要求1的方法,其中所述晶粒生长抑制剂包含金属、金属 合金、金属碳化物、金属间化合物、陶瓷或包含至少一种上述材料的组 合。

5.权利要求1的方法,其中所述晶粒生长抑制剂聚合物前体包含 水溶性聚合物前体或低熔聚合物前体。

6.权利要求1的方法,其中所述晶粒生长抑制剂是TiC、BN或包 含至少一种上述晶粒生长抑制剂的组合,其中所述超微细材料是 WC/Co,且所述合金添加剂是Cr、TiC、Mo或包含至少一种上述合金 添加剂的组合。

7.权利要求1的方法,其中所述超微细材料包含金属、金属合金、 金属陶瓷、金属间化合物、陶瓷、陶瓷-陶瓷复合物或包含至少一种上 述材料的组合。

8.权利要求1的方法,其中所述超微细材料选自Cu、FeCu、FeCo、 NiAl、MoC、MoSi、NiCr、TiC、Mo2Si、NiCr/Cr3C2、Fe/TiC、Ni/TiC、 Mo/TiC和WC/Co,上述金属与Ti、Cr、Mo、Ni、Zr、Ce、Fe、Al、 Si、V、TiC、Mn、Y、W中的一种或多种的合金,和包含至少一种上 述材料的组合。

9.权利要求1的方法,其中所述合金添加剂包含金属粉末、陶瓷 粉末或包含至少一种上述粉末的组合。

10.权利要求1的方法,其中所述合金添加剂包含Ti、Cr、Mo、 Ni、Zr、Ce、Fe、Al、Si、V、TiC、Mn、Y、W、前述添加剂的合金、 前述添加剂的氮化物或前述添加剂的金属间化合物。

11.权利要求1的方法,其中所述处理步骤包含在对降解所述该晶 粒生长抑制剂聚合物前体有效的温度下加热处理所述复合物。

12.制备超微细合金的方法,所述方法包含:

合成含有超微细颗粒的超微细材料;

用晶粒生长抑制剂聚合物前体将所述超微细颗粒包衣;

在合成之前将合金添加剂结合至合成所述超微细材料的组合物,或 者,结合至所述刚合成的超微细材料以至于制备超微细合金-晶粒生长 抑制剂聚合物前体组合物作为所述包衣的结果;和

将所述超微细合金-晶粒生长抑制剂聚合物前体组合物处理以将所 述晶粒生长抑制剂聚合物前体至少部分转化为晶粒生长抑制剂。

13.权利要求12的方法,其中通过将晶粒生长抑制剂聚合物前体 和所述合金添加剂与用于所述超微细颗粒的包衣的溶液相组合,将所述 合金添加剂结合至所述刚合成的超微细材料。

14.权利要求12的方法,其中通过在包衣之前将所述合金添加剂 与所述超微细颗粒一起球磨,将所述合金添加剂结合至所述刚合成的超 微细材料。

15.权利要求12的方法,其中所述合成步骤包括水溶液反应、无 机溶液反应、惰性气体冷凝、化学蒸气沉积、机械合金化、或热化学转 化。

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