[发明专利]一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法无效
| 申请号： | 200810098871.6 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345286A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王寅岗;李子全;陈建康;周广宏 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01F10/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 魏学成 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁性 多层 膜结构 偏置 稳定性 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法，包括以下步骤：
(1)、利用高真空磁控溅射设备在经过常规方法清洗的1mm厚的单晶硅衬底上依次沉积厚度为5nm的下部缓冲层Ta，厚度为5nm的CoFe铁磁层，厚度为2.5nm的Cu层，厚度为5nm CoFe层，厚度为12nm的IrMn和厚度为8nm的保护层Ta，上述磁性薄膜的生长条件：备底真空：5×10-7Pa，溅射用高纯度氩气气压：7×10-2Pa，溅射功率：120W，样品架旋转速率：20rpm，生长温度：室温，生长速率：0.03～0.12nm/s，在沉积时，施加100Oe平面诱导磁场，方向平行于膜面方向；
(2)、沉积好的磁性多层膜采用聚焦离子束工作站进行离子辐照改性，离子辐照的剂量为1×1013ions/cm2，离子束能量为30keV，离子束流为1nA。
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