[发明专利]有机电致发光显示装置有效
申请号: | 200810099166.8 | 申请日: | 2008-05-14 |
公开(公告)号: | CN101308865A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 柏原充宏;山田二郎;藤卷宏史;藤冈弘文;浅木玲生 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光显示装置,包括多个有机电致发光元件,每个有机电致发光元件包括:
下电极;
绝缘层,具有开口,在该绝缘层中下电极暴露在该开口的底部;
辅助配线;
堆叠结构,从暴露于该开口的底部的该下电极之上的部分到围绕该开口的该绝缘层的部分提供该堆叠结构,该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层;和
上电极,
其中该堆叠结构的至少一层部分地接触该辅助配线,
其中对该多个有机电致发光元件公共地提供该绝缘层和该辅助配线,并且
其中该上电极覆盖该堆叠结构和该辅助配线的整个表面。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置,
其中该堆叠结构的至少一层接触该辅助配线的部分形成在该辅助配线上。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置,
其中该上电极由包括镁的导电材料制造,并且该上电极的厚度为4nm至20nm。
4.一种有机电致发光显示装置,包括多个有机电致发光元件,每个有机电致发光元件包括:
下电极;
绝缘层,具有开口,在该绝缘层中下电极暴露在该开口的底部;
辅助配线;
堆叠结构,从暴露于该开口的底部的该下电极之上的部分到围绕该开口的该绝缘层的部分提供该堆叠结构,该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层;和
上电极,
其中该上电极位于该辅助配线之上的部分通过包括电荷注入层和电荷传输层的两层结构层电连接到该辅助配线,
其中对该多个有机电致发光元件公共地提供该绝缘层和该辅助配线,并且
其中该上电极覆盖形成该多个有机电致发光元件的该堆叠结构和该两层结构层而不接触该绝缘层。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置,
其中该上电极部分地接触该堆叠结构,部分地接触该辅助配线,并且部分地接触该两层结构层。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示装置,
其中该两层结构层还在位于该下电极之上的该堆叠结构和该上电极之间延伸。
7.根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置,
其中该堆叠结构的至少一层具有连接到该辅助配线的部分。
8.根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置,
其中当在该辅助配线和该上电极之间流过的电流的电流密度等于或小于10A/cm2时,该辅助配线和该上电极之间的电压降低等于或小于5V。
9.根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置,
其中该上电极由包括镁的导电材料制造,并且该上电极的厚度为4nm至20nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的