[发明专利]薄膜电阻结构及其制造方法

权利要求书

1. 一种薄膜电阻结构，其特征在于，包括：

一电阻层，包括：

一铜氧化物层，其表面具有多个相邻的瘤形凹口区，且该瘤形凹口区之间具有网状分布的空隙；以及

多个金属岛状物，位于该铜氧化物层上，且分别设置于该瘤形凹口区之间的空隙。

2. 根据权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于，还包括：

一绝缘衬底，设置于该电阻层下方；以及

一绝缘层，局部覆盖该电阻层，以露出该电阻层的两端；以及

二电极，分别覆盖该露出的电阻层两端，并与该电阻层电性连接。

3. 根据权利要求2所述的薄膜电阻结构，其特征在于，该绝缘层由绿漆所构成。

4. 根据权利要求2所述的薄膜电阻结构，其特征在于，每一电极由铜箔所构成。

5. 根据权利要求2所述的薄膜电阻结构，其特征在于，该绝缘衬底由环氧化物或聚酰亚胺所构成。

6. 根据权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于，该铜氧化物层内还包括镍氧化物。

7. 根据权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于，该金属岛状物的材料选自于白金、钯、钌、铑、铱、金、银、或上述的合金所组成的群组。

8. 根据权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于，该金属岛状物由钯所构成，且该电阻层中铜的含量大于15.0μg/cm²，而钯的含量大于7.0μg/cm²。

9. 一种薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一铜箔衬底，其上表面具有多个相邻的瘤形突部，且该瘤形突部之间具有网状分布的空隙；

在该铜箔衬底的该上表面涂布一含有金属的溶液，使该含有金属的溶液填满该瘤形突部之间的空隙；

对该铜箔衬底进行热处理，以在该瘤形突部表面形成一铜氧化物层，且同时在该瘤形突部之间的空隙填充由该含有金属的溶液所转化形成的多个金属岛状物；

将该铜箔衬底倒置于一绝缘衬底上，使该铜氧化物层与该绝缘衬底接合；

在该铜箔衬底中定义二电极区及一电阻区；

去除该电阻区的该铜箔衬底及该瘤形突部，以局部露出该铜氧化物层及该金属岛状物，其中该露出的铜氧化物层的表面具有多个对应的瘤形凹口区；以及

在露出的该铜氧化物层及该金属岛状物上覆盖一绝缘层并填入该瘤形凹口区。

10. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该绝缘层由绿漆所构成。

11. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该绝缘衬底由环氧化物或聚酰亚胺所构成。

12. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该铜氧化物层内还包括镍氧化物。

13. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该金属岛状物由白金、钯、钌、铑、铱、金、银、或上述的合金所构成。

14. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该金属岛状物由钯所构成，且由该金属岛状物与该铜氧化物层所形成的结构中，铜的含量大于15.0μg/cm²，而钯的含量大于7.0μg/cm²。

15. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该含有金属的溶液为醋酸钯氯仿溶液。

16. 根据权利要求15所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该醋酸钯氯仿溶液的浓度在0.1g/10cc至0.4g/10cc的范围。

17. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该含有金属的溶液为胶体金属微粒溶液。

18. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该含有金属的溶液由浸渍涂布法、旋涂法、喷涂法、或狭缝挤压涂布法而涂布于该铜箔衬底的该上表面。

19. 根据权利要求9所述的薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于，该热处理在非真空下进行，且该热处理的温度不大于300℃。