[发明专利]制备宽频带吸波磁性多层膜的方法

权利要求书

1.制备宽频带吸波磁性膜的方法，其特征是：首先在基底材料上采用真空溅射法生成截止频率为f₁的第一磁性材料层，再在第一磁性材料层上生成一层由非磁性材料构成的隔离层，然后再隔离层上溅射生成截止频率为f₂的第二磁性材料层，再在第二磁性材料层上生成由非磁性金属材料构成的第二隔离层，如此重复前述过程，在基底上形成由非磁性金属材料构成的隔离层相隔的由不同截止频率的磁性材料层构成的n层磁性材料薄膜，其中的非磁性金属材料隔离层为30～50纳米。

2.根据权利要求1所述的制备宽频带吸波磁性膜的方法，其特征是：在基底材料上形成磁性材料层的方法是在溅射磁性金属靶材的同时还在基底材料上溅射少许非磁性金属材料，其中溅射到基片上的非磁性金属与溅射的磁性金属之原子百分比为3～20；通过改变靶中心到基片中心的连线与靶法线的夹角α，以得到不同截止频率的磁性薄膜层；控制各层磁性金属材料层的厚度实现不同磁性金属材料层的磁导率虚部共振吸收的相对强度。

3.根据权利要求2所述的制备宽频带吸波磁性膜的方法，其特征是生成的隔离层由铜或银或钽或钛或氧化硅或氧化镁或氧化锆等非磁性物质构成，溅射生成的磁性材料层由钴或铁钴合金与锆或铌或铪或钽或钛或钒中的任一种或任几种的组合的少量的非磁性材料组成。

4.权利要求1或2所述任一方法所使用的溅射设备为现通用的溅射设备，其特征是溅射磁性材料层时所用的溅射靶为复合靶，即在现有的由被溅射磁性材料制成的靶材上设置有非磁性纯金属片。

5.权利3所述方法使用的溅射设备为现通用的溅射设备，其特征是溅射磁性材料层时所用的溅射靶为复合靶，即在由钴或铁钴合金制成的靶材上设置锆或铌或铪或钽或钛或钒的纯金属片，或者设置由锆或铌或铪或钽或钛或钒中的任几种组合而成的合金片。

6.权利要求4或5所述的设备，其特征是所用的复合靶上的非磁性材料片的直径与磁性金属靶片直径比为0.03～0.15，可设置的非磁性材料片数量为1至16个。