[发明专利]用于生产金属半导体接触的半导体元件和方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括由半导体材料组成的作为衬底的第一层 (10)，在所述第一层(10)上延伸的第二层(12)，在所述第一层和所述第 二层之间延伸的由所述第一层和所述第二层的材料构成的至少两个 中间层(14，16)，其中面对所述第二层(12)的第一中间层(16)能够包含 所述第一层和所述第二层的材料的共晶体混合物(18)，以及形成与所 述第一层的导电连接且始于所述第二层或者通过所述第二层的导电 接触(15，15a，15b)，

其特征在于，

所述导电接触(15，15a，15b)包括可焊的或者可湿性金属材料， 所述材料扩散到所述第二层(12)中或者与所述第二层的材料形成混合 物。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述可焊的或者可湿性金属材料作为所述导电接触(15，15a，15b) 从所述第二层(12)起始扩散到所述两个中间层(14，16)中的至少一个 中。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

在所述第一层(10)和相邻于所述第二层(12)的第一中间层(16)之 间延伸有掺杂了所述第二层的材料的第二中间层(14)，所述导电的包 含了所述可焊的或者可湿性金属材料的接触(15，15a，15b)延伸直至 所述第二中间层(14)。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述第二层是或者包括由铝、铟、镓、硼组成的组中的至少一种 基接触材料或者所述组的材料的混合物。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述导电接触(15，15a，15b)的所述可焊的或者可湿性金属材料 是或者包括由锡、铅、铟、镓、镉、铁、银、金、钛、铪、锌、镁、 钙、钡组成的组中的至少一种材料或其它焊接材料或所述组的材料的 混合物。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述第二层(12)至少在部分区域由铝和所述可焊的或者可湿性金 属材料的混合物组成。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述第二层(12)由铝和所述可焊的或者可湿性金属材料的混合物 产生的材料组成。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述可焊的或者可湿性金属材料在形成所述第二层(12)之后扩散 到所述第二层(12)中。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述可焊的或者可湿性金属材料扩散到形成背面场的且由与所 述第二层(12)的基接触材料熔合的半导体材料组成的第二中间层(14) 中。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述第二层(12)的基接触材料以及可焊的或者可湿性金属材料溶 解在由所述第一层(10)形成的第二中间层(14)中。

11.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述第二层(12)包含了占0.01％重量百分比到99.9％重量百分比 的可焊的或者可湿性金属材料。

12.根据权利要求1所述的半导体元件，

其特征在于，

所述第二层(12)包含了占10％重量百分比到50％重量百分比的可 焊的或者可湿性金属材料。

13.根据权利要求11或12所述的半导体元件，

其特征在于，

所述可焊的或者可湿性金属材料是锡和/或锡合金。