[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法有效
申请号: | 200810099848.9 | 申请日: | 2008-05-26 |
公开(公告)号: | CN101281882A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 王盟仁 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 台湾省高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 形成 穿导孔 方法 | ||
1.一种在基材上形成穿导孔的方法,包括:
(a)提供一基材,该基材具有第一表面及第二表面;
(b)形成一光阻层于该基材的第一表面上;
(c)于该光阻层上形成一图案;
(d)根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体,该沟槽是围绕该柱体;
(e)形成一聚合物(Polymer)于该基材的沟槽;
(f)移除该基材的柱体,以形成一容置空间;
(g)形成一导电金属于该容置空间内;及
(h)去除部分该基材的第二表面,以显露该导电金属及该聚合物。
2.如权利要求1的方法,其中该步骤(a)中,该基材为晶片。
3.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)中,该图案为环状开口。
4.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)中,该沟槽并未贯穿该基材。
5.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)的后更包括一移除该光阻层的步骤。
6.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)均布该聚合物于该沟槽的相对位置;
(e2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该沟槽内;及
(e3)移除位于该沟槽的外的该聚合物。
7.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)形成数个排气孔,以连通该沟槽至该基材的第二表面;
(e2)均布该聚合物于该沟槽的相对位置;
(e3)填入该聚合物至该沟槽及所述排气孔内;及
(e4)移除位于该沟槽及所述排气孔的外的该聚合物。
8.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物雾化且沉积于该沟槽内;及
(e2)移除位于该沟槽的外的该聚合物。
9.如权利要求1的方法,其中该步骤(h)是蚀刻或研磨该基材的第二表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造