[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法

权利要求书

1.一种在基材上形成穿导孔的方法，包括：

(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；

(b)形成一光阻层于该基材的第一表面上；

(c)于该光阻层上形成一图案；

(d)根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体，该沟槽是围绕该柱体；

(e)形成一聚合物(Polymer)于该基材的沟槽；

(f)移除该基材的柱体，以形成一容置空间；

(g)形成一导电金属于该容置空间内；及

(h)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该聚合物。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该基材为晶片。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(c)中，该图案为环状开口。

4.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)中，该沟槽并未贯穿该基材。

5.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)的后更包括一移除该光阻层的步骤。

6.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)包括：

(e1)均布该聚合物于该沟槽的相对位置；

(e2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该沟槽内；及

(e3)移除位于该沟槽的外的该聚合物。

7.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)包括：

(e1)形成数个排气孔，以连通该沟槽至该基材的第二表面；

(e2)均布该聚合物于该沟槽的相对位置；

(e3)填入该聚合物至该沟槽及所述排气孔内；及

(e4)移除位于该沟槽及所述排气孔的外的该聚合物。

8.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)包括：

(e1)以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物雾化且沉积于该沟槽内；及

(e2)移除位于该沟槽的外的该聚合物。

9.如权利要求1的方法，其中该步骤(h)是蚀刻或研磨该基材的第二表面。