[发明专利]MIM电容器

权利要求书

1.一种MIM电容器，包括：

第一和第二导体图形(11A，11B)，埋置在第一层间绝缘膜(11)中而以彼此相对的关系在所述第一层间绝缘膜(11)中连续延伸；以及

第三和第四导体图形(13A，13B)，埋置在第三层间绝缘膜(13)中，所述第三层间绝缘膜(13)经由第二层间绝缘膜(12)在所述第一层间绝缘膜(11)上方形成，

所述第三和第四导体图形(13A，13B)以彼此相对的关系在所述第三层间绝缘膜(13)中连续延伸，

其中，第五导体图形(12A)埋置在所述第二层间绝缘膜(12)中而与所述第一和第三导体图形(11A，13A)相对应地在所述第二层间绝缘膜(12)中连续延伸，所述第五导体图形(12A)将所述第一和第三导体图形(11A，13A)连续连接，

第六导体图形(12B)埋置在所述第二层间绝缘膜(12)中而与所述第二和第四导体图形(11B，13B)相对应地在所述第二层间绝缘膜(12)中连续延伸，所述第六导体图形(12B)将所述第二和第四导体图形(11B，13B)连续连接。

2.如权利要求1所述的MIM电容器，其中，所述第一、第三和第五导体图形(11A，13A，12A)具有相同的形状和相同的大小，并且所述第二、第四和第六导体图形(11B，13B，12B)具有相同的形状和相同的大小。

3.如权利要求1所述的MIM电容器，其中，所述第五导体图形(12A)连续于所述第三导体图形(13A)之下形成，所述第五导体图形(12A)在其底部与所述第一导体图形(11A)相接触，所述第六导体图形(12B)连续于所述第四导体图形(13B)之下形成，所述第六导体图形(12B)在其底部与所述第二导体图形(11B)相接触。

4.如权利要求3所述的MIM电容器，其中，所述第三和第四导体图形(13A，13B)被暴露在所述第三层间绝缘膜(13)的表面，所述第三和第四导体图形(13A，13B)具有与所述第三层间绝缘膜(13)表面齐平的各自的暴露表面。

5.如权利要求3所述的MIM电容器，其中，所述第三导体图形(13A)具有形成有第一阻挡金属膜的侧壁表面，所述第一阻挡金属膜还连续覆盖所述第五导体图形(12A)的侧壁表面和底表面，所述第四导体图形(13B)具有由第二阻挡金属膜覆盖的侧壁表面，所述第二阻挡金属膜连续覆盖所述第六导体图形(12B)的侧壁表面和底表面。

6.如权利要求3所述的MIM电容器，其中，在所述第一层间绝缘膜(11)和所述第二层间绝缘膜(12)之间的界面处形成作为蚀刻停止层的第一绝缘膜，在所述第二层间绝缘膜(12)和所述第三层间绝缘膜(13)之间的界面处形成第二绝缘膜。

7.如权利要求1所述的MIM电容器，其中，所述第五和第六导体图形(12A，12B)由与所述第三和第四导体图形(13A，13B)不同的材料形成。

8.如权利要求7所述的MIM电容器，其中，所述第三和第四导体图形(13A，13B)具有由高熔点金属覆盖的各自的侧壁表面和底表面。

9.如权利要求1所述的MIM电容器，其中，所述第一和第二导体图形(11A，11B)形成梳状电极图形，所述第三和第四导体图形(13A，13B)和所述第五和第六导体图形(12A，12B)形成与所述梳状电极图形相对应的各自的梳状电极图形。