[发明专利]磁头和信息存储设备无效
申请号: | 200810099947.7 | 申请日: | 2008-05-22 |
公开(公告)号: | CN101312044A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 三宅裕子;松冈正昭;小田切充 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/127 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 信息 存储 设备 | ||
1.一种磁头,所述磁头包含:
磁极,所述磁极面向记录介质的表面,按照沿所述表面的方向相对于所述表面移动,并产生与所述记录介质的表面相交的磁力线;和
线圈,所述线圈对所述磁极进行励磁,其中
所述磁极包含具有800A/m以下的矫顽力的层积体,所述层积体包含按照沿相对于所述记录介质的表面的移动的方向堆叠的两层或更多层,所述两层或更多层包含位于所述移动的最前方位置的第一磁性层和位于所述移动的最后方位置的第二磁性层,所述第二磁性层的饱和磁通密度高于所述第一磁性层的饱和磁通密度。
2.如权利要求1所述的磁头,其中,所述第一磁性层具有Ni100-xFex的组成,其中15重量%≤x,所述第二磁性层具有FexCo100-x的组成,其中65重量%≤x≤75重量%。
3.如权利要求1所述的磁头,其中,所述第一磁性层具有Ni100-xFex的组成,其中18重量%≤x≤70重量%,所述第二磁性层具有FexCo100-x的组成,其中65重量%≤x≤75重量%。
4.如权利要求1所述的磁头,其中,所述第一磁性层具有CoxNiyFez的组成,其中x+y+z=100重量%,0<y≤10重量%,0<x≤33重量%,所述第二磁性层具有FexCo100-x的组成,其中65重量%≤x≤75重量%。
5.如权利要求1所述的磁头,其中,所述第一磁性层具有FexCo100-x的组成,其中75重量%≤x,所述第二磁性层具有FexCo100-x的组成,其中65重量%≤x≤75重量%。
6.如权利要求1所述的磁头,其中,所述第一磁性层具有CoxNiyFez的组成,其中x+y+z=100重量%,60重量%≤x≤80重量%,10重量%≤z≤20重量%,所述第二磁性层具有FexCo100-x的组成,其中65重量%≤x≤75重量%。
7.如权利要求1所述的磁头,其中,所述磁极的所述第一磁性层和第二磁性层通过镀覆形成。
8.如权利要求1所述的磁头,其中,所述磁极具有沿所述记录介质的表面的横截面,所述横截面在所述移动的前部狭小,在所述移动的后部宽大。
9.如权利要求1所述的磁头,其中,所述磁极满足S2/(S1+S2)>0.35的关系,其中所述第一磁性层的面向所述记录介质的表面的面的面积为S1,所述第二磁性层的面向所述记录介质的表面的面的面积为S2。
10.如权利要求1所述的磁头,其中,对于所述磁极中包含的全部层,所述磁极具有大于2.1T的饱和磁通密度和低于800A/m的矫顽力。
11.如权利要求1所述的磁头,其中,所述磁极具有无磁性底层,并且通过镀覆在所述底层上形成所述第一磁性层和所述第二磁性层。
12.如权利要求11所述的磁头,其中,所述磁极的底层含有来自Ru、Pd、Pt、Rh、Au、Cu、NiP、NiMo和NiCr中的至少一种元素。
13.如权利要求11所述的磁头,其中,所述磁极的底层由Ru组成。
14.如权利要求11所述的磁头,其中,在所述无磁性底层和所述第一磁性层之间,所述磁极具有合金膜,所述合金膜含有包括Ni的至少两种元素。
15.如权利要求1所述的磁头,其中,所述磁极具有磁性底层,并且通过镀覆在所述底层上形成所述第一磁性层和所述第二磁性层。
16.如权利要求15所述的磁头,其中,所述磁极的底层含有来自Ni、Fe和Co中的至少一种元素。
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