[发明专利]氮化物半导体激光器芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光器芯片，包括：

氮化物半导体衬底；

多个氮化物半导体层，层叠在所述氮化物半导体衬底的表面上，并包 括有源层；

形成在所述氮化物半导体层上的条带形波导；和

谐振器端面，由被解理的氮化物半导体层与所述氮化物半导体衬底共 同形成，

其中

所述氮化物半导体衬底的主平面是(1-100)面，

所述谐振器端面与所述主平面垂直，以及

在形成所述谐振器端面的解理表面中，至少在所述条带形波导的一 边，形成刻入部分，作为朝向所述氮化物半导体层的表面开口的刻入区域，

其中所述刻入部分相对于解理过程中冲击波传播的方向位于所述条 带形波导的前面，并且

其中所述刻入部分的底面达到位于比所述有源层更靠近所述氮化物 半导体衬底的氮化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，

其中所述刻入部分被形成为距所述条带形波导的距离大于等于2μm 但小于等于200μm。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，

其中在所述刻入部分的表面上形成保护膜。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，

其中沿所述氮化物半导体激光器芯片的谐振器长度方向，仅在所述氮 化物半导体激光器芯片的、包括所述解理表面的一部分中，形成所述刻入 部分，而并未使其从一端完全延伸至另一端。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，

其中沿所述氮化物半导体激光器芯片的谐振器长度方向，从一端到另 一端形成所述刻入部分，与所述条带形波导平行。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，

其中作为所述条带形波导，形成多个条带形波导。

7.一种制造氮化物半导体激光器芯片的方法，包括：

将包括有源层在内的多个氮化物半导体层层叠在以(1-100)表面作为 晶体生长主表面的氮化物半导体衬底上；

在所述氮化物半导体层上形成条带形波导；

在所述氮化物半导体层中形成刻入部分，作为朝向所述氮化物半导体 层的表面开口的刻入区域；

在晶片的、形成有所述条带形波导和所述刻入部分的一部分上，形成 作为解理起始点的凹槽；和

沿所述凹槽，向所述晶片施加外力，以形成与所述主表面垂直的解理 表面，

其中在所述条带形波导的一边的解理表面切割位置处，形成所述刻入 部分，

其中所述刻入部分相对于解理过程中冲击波传播的方向位于所述条 带形波导的前面，并且

其中所述刻入部分的底面达到位于比所述有源层更靠近所述氮化物 半导体衬底的氮化物半导体层。

8.根据权利要求7所述的制造氮化物半导体激光器芯片的方法，

其中所述刻入部分被形成为距所述条带形波导的距离大于等于2μm 但小于等于200μm。

9.根据权利要求7所述的制造氮化物半导体激光器芯片的方法，

其中沿所述氮化物半导体激光器芯片的谐振器长度方向，仅在所述氮 化物半导体激光器芯片的、包括所述解理表面的一部分中，形成所述刻入 部分，而并未使其从一端完全延伸至另一端。

10.根据权利要求7所述的制造氮化物半导体激光器芯片的方法，

其中沿所述氮化物半导体激光器芯片的谐振器长度方向，从一端到另 一端形成所述刻入部分，与所述条带形波导平行。