[发明专利]突入电流限制器

权利要求书

1.一种突入电流限制器，包含：

一场效应晶体管，其具有一受电端、一释电端与一栅极；

一限流电阻，其连接在该场效应晶体管的受电端与释电端间；以及

一栅极驱动器，连接该场效应晶体管的栅极与释电端间，其中该栅极驱动器包含一PNP双极晶体管、一第一二极管、一第一电阻、一第一电容、一第二二极管与一驱动线圈，该PNP双极晶体管的发射极与集电极分别连接该场效应晶体管的栅极与释电端，该第一二极管的阴极与阳极分别连接该PNP双极晶体管的发射极与基极，该第一电阻连接于该PNP双极晶体管的集电极与基极间，该第一电容的负极与正极分别连接该驱动线圈的第一端与该PNP双极晶体管的基极，该驱动线圈的第二端连接该第二二极管的阳极，该第二二极管的阴极连接该第一电容的正极，其中：

当该场效应晶体管为N信道金属氧化物半导体场效应晶体管或N信道接面型场效应电晶时，其受电端为晶体管的漏极，而释电端为晶体管的源极；

当该场效应晶体管为P信道金属氧化物半导体场效应晶体管或P信道接面型场效应电晶时，其受电端为晶体管的源极，而释电端为晶体管的漏极。

2.根据权利要求1所述的突入电流限制器，其特征在于该场效应晶体管的受电端与释电端分别连接于一电源供应器的一桥式整流器的正端与一直流直流转换器，该驱动线圈的第一端连接该场效应晶体管的该释电端，该驱动线圈衍生自该直流直流转换器的一输出电感或变压器的线圈，该直流直流转换器为一逆向式转换器、一顺向式转换器、一推挽式转换器、一半桥式转换器、一全桥式转换器或一谐振式转换器。

3.根据权利要求1所述的突入电流限制器，其特征在于该栅极驱动器还包含一第二电容与一第二电阻，该第二电容连接在该PNP双极晶体管的发射极与集电极间，该第二电阻连接在该第一电容的正极与该PNP双极晶体管的基极间。

4.根据权利要求3所述的突入电流限制器，其特征在于该场效应晶体管的受电端与释电端连接于一电源供应器的一直流直流转换器与一桥式整流器负端间，该驱动线圈的第一端连接该场效应晶体管的该受电端，该驱动线圈衍生自该直流直流转换器的一输出电感或变压器的线圈，该直流直流转换器为一逆向式转换器、一顺向式转换器、一推挽式转换器、一半桥式转换器、一全桥式转换器或一谐振式转换器。

5.根据权利要求1所述的突入电流限制器，其特征在于该栅极驱动器还包含一第三电容与一第三二极管，该第三电容的正极与负极连接该第二二极管的阳极与该驱动线圈，该第三二极管的阳极与阴极连接该PNP双极晶体管的集电极与该第三电容的正极。

6.根据权利要求5所述的突入电流限制器，其特征在于该场效应晶体管的受电端与释电端连接于一电源供应器的一桥式整流器的正端与一功率因素修正器间，该驱动线圈的第一端连接该场效应晶体管的该释电端，该驱动线圈衍生自该功率因素修正器的一电感。

7.根据权利要求5所述的突入电流限制器，其特征在于该栅极驱动器还包含一第二电容与一第二电阻，该第二电容正极与负极分别连接在该PNP双极晶体管的发射极与集电极，该第二电阻连接于该第一电容的正极与该PNP双极晶体管的基极。

8.根据权利要求7所述的突入电流限制器，其特征在于该场效应晶体管的受电端与释电端连接于一电源供应器的一功率因素修正器与一桥式整流器的负端间，该驱动线圈的第一端连接该场效应晶体管的该受电端，该驱动线圈衍生自该功率因素修正器的一电感。