[发明专利]高密度高效能功率晶体管布局方式无效
| 申请号： | 200810100033.8 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599505A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立政;安丰沅 | 申请（专利权）人： | 致新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/772;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 高效能 功率 晶体管 布局 方式 | ||
【权利要求书】：
1、一种功率晶体管，包含：
栅极，其具有第一直线部分、第二直线部分、及第三直线部分，其中该第一直线部分与该第二直线部分相连结且形成第一角度，且该第二直线部分与该第三直线部分相连结且形成第二角度；
源极；以及
漏极，
其中该第一直线部分与该第二直线部分形成第一V形结构，该第二直线部分与该第三直线部分形成第二V形结构，且该第一直线部分、该第二直线部分、及该第三直线部分形成N形结构。
2、如权利要求1所述的功率晶体管，其中该第一直线部分的长度等于该第二直线部分的长度。
3、如权利要求2所述的功率晶体管，其中该第二直线部分的长度等于该第三直线部分的长度。
4、如权利要求3所述的功率晶体管，其中该第一角度等于该第二角度。
5、如权利要求4所述的功率晶体管，其中该第一角度等于90度。
6、如权利要求5所述的功率晶体管，其中该源极具有多个阱接触及多个源极接触。
7、如权利要求6所述的功率晶体管，其中该多个阱接触位于N型扩散区且该多个源极接触位于P型扩散区。
8、如权利要求7所述的功率晶体管，其中该漏极具有多个漏极接触。
9、如权利要求8所述的功率晶体管，其中该多个漏极接触位于该P型扩散区。
10、如权利要求9所述的功率晶体管，其中该功率晶体管应用于功率转换器。
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