[发明专利]用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置

权利要求书

1.一种用于控制卡盘温度的方法，其包括：

测量卡盘的第一分区的温度；

依据所述测量，将影响所述第一分区温度的第一加热元件的功率控制在第一温度；

测量卡盘的第二分区的温度；及

依据所述测量，将影响所述第二分区温度的第二加热元件的功率控制在第二温度；

其中，所述卡盘包括用于夹持工件的平支架、热绝缘体和温控基座，所述温控基座的温度低于工件需用温度，所述第一和第二加热元件埋置于所述平支架内或者装设于所述平支架底面上，并且所述热绝缘体装设于所述平支架和所述基座之间，

其中，所述热绝缘体的热导率介于0.05W/mK至0.20W/mK范围内。

2.一种用于控制卡盘温度的装置，其包括：

用于测量该卡盘的第一分区温度的构件；

用于基于所述用于测量该卡盘第一分区温度的构件将影响所述第一分区温度的第一加热元件的功率控制在第一温度的构件；

用于测量该卡盘的第二分区温度的构件；

用于基于所述用于测量该卡盘第二分区温度的构件将影响所述第二分区温度的第二加热元件的功率控制在第二温度的构件；

其中，所述卡盘包括用于夹持工件的平支架、热绝缘体和温控基座，所述温控基座的温度低于工件需用温度，所述第一和第二加热元件埋置于所述平支架内或者装设于所述平支架底面上，并且所述热绝缘体装设于所述平支架和所述基座之间，

其中，所述热绝缘体的热导率介于0.05W/mK至0.20W/mK范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括热隔断，所述热隔断将所述基座分成热分区，所述方法包括通过控制每个热分区中循环的流体的温度来控制所述热分区的每一个的温度。

4.根据权利要求2所述的装置，还包括热隔断，所述热隔断将所述基座分成热分区，所述热分区具有在每个热分区中循环的温度受控的流体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述工件和所述平支架之间提供氦气，以控制在所述工件和所述平支架之间的热传导。

6.根据权利要求2所述的装置，进一步包括在所述工件和所述平支架之间的热导体，其中所述热导体是受控压力下的氦气。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热绝缘体的厚度小于2mm。

8.根据权利要求2所述的装置，其中，所述热绝缘体的厚度小于2mm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温控基座被维持在比所述工件需用温度低10℃至50℃的恒定温度。

10.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一和第二加热元件包括平面加热元件，控制器自传感器接收信号并依据每一加热分区的设定值调节每一平面加热元件功率。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述平面加热元件包括电阻式加热器。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件是晶圆并且所述第一和第二加热元件包括静电卡盘的平面电极，在静电夹持所述晶圆的同时所述第一和第二加热元件加热所述第一和第二分区。

13.根据权利要求2所述的装置，其中，所述工件是晶圆并且所述第一和第二加热元件包括静电卡盘的平面电极，在静电夹持所述晶圆的同时所述第一和第二加热元件加热所述第一和第二分区。