[发明专利]有机薄膜晶体管与像素结构及其制作方法以及显示面板

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基材上形成图案化绝缘层，该图案化绝缘层中具有开口；

于该绝缘层的开口内形成栅极；

形成栅绝缘层于该栅极上；

利用印刷步骤，以于该栅绝缘层上形成导电材料层，其中该栅绝缘层与该导电材料层其中之一为亲油或亲水特性且另一为亲水或亲油特性，因而该导电材料层会自然地分离至该栅绝缘层的两侧，而构成源极以及漏极；以及

于该源极与该漏极之间的该栅绝缘层上形成有源层。

2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中该印刷步骤包括喷墨列印法、网版印刷法、压印或接触列印方法。

3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中形成该图案化绝缘层的方法包括印刷法或激光图案化方法。

4.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中于该源极与该漏极之间的该栅绝缘层上形成该有源层的方法包括印刷方法。

5.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中于该栅极上形成栅绝缘层的方法包括印刷方法。

6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中于该绝缘层的开口内形成该栅极的方法包括旋转涂布法、印刷法或是沉积法。

7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中该栅绝缘层的材料包括无机材料，其包括氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中该栅绝缘层的材料包括有机材料，其包括含氟高分子、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯酚或其混合物。

9.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中该导电材料层的材料包括纳米金、纳米银、银胶或聚二氧乙基噻吩。

10.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其中该图案化绝缘层具有梳状图案结构。

11.一种像素结构的制造方法，包括：

在基材上形成至少一有机薄膜晶体管以及与该有机薄膜晶体管电性连接的阳极层，其中该有机薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极以及有源层；

利用印刷步骤在该基材上方形成图案化绝缘层，其中该图案化绝缘层暴露出该阳极层；

在暴露的该阳极层表面形成有机发光层；以及

在该有机发光层上形成阴极层。

12.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其中该印刷步骤包括喷墨列印法、网版印刷法、压印或接触列印方法。

13.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其中在该基材上形成该有机薄膜晶体管的方法包括：

在该基材上形成图案化绝缘层，该图案化绝缘层中具有开口；

于该绝缘层的开口内形成栅极；

形成栅绝缘层于该栅极上；

利用印刷步骤，以于该栅绝缘层上形成导电材料层，其中该栅绝缘层与该导电材料层其中之一为亲油或亲水特性且另一为亲水或亲油特性，因而该导电材料层会自然地分离至该栅绝缘层的两侧，而构成源极以及漏极；以及

于该源极与该漏极之间的该栅绝缘层上形成有源层。

14.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其中在该基材上形成该有机薄膜晶体管的方法包括：

在该基材上形成该栅极；

在该栅极上形成该栅绝缘层；

在该栅绝缘层上形成该源极以及该漏极；以及

在该源极与该漏极之间的该栅绝缘层上形成该有源层。

15.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其中该图案化绝缘层还包括暴露出该有机薄膜晶体管的该有源层，且该阴极层未延伸至该有机薄膜晶体管的该有源层的上方。

16.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其中该阳极层与该有机薄膜晶体管的源极与漏极是同时定义出的。