[发明专利]焊料隆起形成方法及装置无效
申请号: | 200810100659.9 | 申请日: | 2005-03-29 |
公开(公告)号: | CN101303989A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 白井大;小野崎纯一;齐藤浩司;坂本伊佐雄;古野雅彦;安藤晴彦;平塚笃志 | 申请(专利权)人: | 株式会社田村制作所;独立行政法人科学技术振兴机构 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/34;B23K1/012;B23K3/06;F27B17/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 黄依文 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊料 隆起 形成 方法 装置 | ||
1.一种焊料隆起形成装置,对设有多个垫式电极的基板上的焊料组成物进行加热及回流 焊而形成焊料隆起,其特征在于,
所述基板被浸入容器内的焊料组成物中,
所述焊料组成物是由焊料粒子与含有熔接剂成分且在常温下为液态或加热变成液态的液 体材料的混合物组成,
所述焊料隆起形成装置具有:
加热单元,该加热单元隔着所述容器从所述基板的一面侧通过热风吹抵所述容器来对所 述焊料组成物进行加热;
调温单元,该调温单元从所述基板的另一面侧通过热吸收板吸收所述焊料组成物的热量 或通过辐射热对所述焊料组成物进行加热而对所述焊料组成物的温度进行调节;
第一循环路径,该第一循环路径使来自所述加热单元的热风循环;以及
第二循环路径,该第二循环路径具有使冷风或热风向所述调温单元循环的循环导管。
2.如权利要求1所述的焊料隆起形成装置,其特征在于,
所述调温单元具有以辐射热加热所述焊料组成物的辐射板和加热所述辐射板的加热部。
3.如权利要求1所述的焊料隆起形成装置,其特征在于,
所述调温单元具有吸收所述焊料组成物的热量的所述热吸收板和冷却所述热吸收板的吸 热部。
4.如权利要求1所述的焊料隆起形成装置,其特征在于,
所述加热单元将热风吹抵所述基板的下侧来加热。
5.如权利要求1所述的焊料隆起形成装置,其特征在于,
所述加热单元通过热传导对所述基板的下侧加热。
6.一种焊料隆起形成方法,其特征在于,包括以下工序:
将焊料组成物在设有多个垫式电极的基板上堆积成层状的涂布工序,所述焊料组成物由 焊料粒子与含有熔接剂成分且常温下为液态或加热变成液态的液体材料的混合物组成;
隔着容器从所述基板的一面侧通过热风吹抵所述容器来对所述焊料组成物进行加热、从 而进行回流焊的回流焊工序;以及
从所述基板的另一面侧通过热吸收板吸收所述焊料组成物的热量或通过辐射热对所述焊 料组成物进行加热、从而对所述焊料组成物的温度进行调节的工序,
在所述回流焊工序中,在将所述基板浸入容器内的所述焊料组成物中的状态下,对焊料 组成物进行加热并进行焊料组成物的温度控制,使所述加热用的热风通过第一循环路径而循 环,使所述温度控制用的所述冷风或所述热风通过第二循环路径的循环导管而循环。
7.如权利要求6所述的焊料隆起形成方法,其特征在于,
在所述涂布工序中,将所述焊料组成物堆积在包含所述多个垫式电极及其它们之间的间 隙的整个面上。
8.如权利要求6所述的焊料隆起形成方法,其特征在于,
在所述回流焊工序中,使所述焊料组成物的表面侧和基板侧的加热温度形成温度差地加 热所述焊料组成物。
9.如权利要求6所述的焊料隆起形成方法,其特征在于,
在所述回流焊工序中,使所述焊料组成物的表面侧和基板侧的加热温度基本上相同地加 热所述焊料组成物。
10.如权利要求6所述的焊料隆起形成方法,其特征在于,
在所述回流焊工序中,将所述垫式电极加热到所述焊料粒子的熔点或熔点以上,使与该 垫式电极接触的焊料粒子熔化,已熔化的所述焊料粒子形成在该垫式电极上沾润蔓延的焊料 皮膜,进一步使所述焊料粒子与该焊料皮膜合而为一。
11.如权利要求6所述的焊料隆起形成方法,其特征在于,
在所述回流焊工序中,使所述焊料组成物的基板侧的加热温度高于所述焊料组成物的表 面侧的加热温度,以此形成温度差,靠近所述基板侧的所述焊料粒子率先沉淀。
12.如权利要求6所述的焊料隆起形成方法,其特征在于,
在所述回流焊工序中,使所述焊料组成物的基板侧的加热温度高于所述焊料组成物的表 面侧的加热温度,以此形成温度差,在所述液体材料中产生对流,通过该对流来促进所述焊 料粒子的沉淀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造