[发明专利]共模扼流圈

权利要求书

1.一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括：

彼此磁耦合的第一线圈导体和第二线圈导体；

第三线圈导体，该第三线圈导体串联地电连接到该第一线圈导体，并基本不与该第一线圈导体磁耦合；

第四线圈导体，该第四线圈导体串联地电连接到该第二线圈导体，并基本不与该第二线圈导体磁耦合；

第一接触导体，其一端与该第一线圈导体的内端连接，另一端与该第三线圈导体连接；以及

第二接触导体，其一端与该第二线圈导体的内端连接，另一端与该第四线圈导体连接，其中，

该第一线圈导体的内端与第二线圈导体的内端形成为从层叠方向观察时彼此不重叠，

该第一和第二接触导体形成为从层叠方向观察时彼此不重叠，

该第三线圈导体和该第四线圈导体基本不磁耦合，并且以规定的中心线为基准是对称的；其中，基本不磁耦合是耦合系数为0.1或更低的状态。

2.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第一接触导体连接到该第三线圈导体的内端，并且该第二接触导体连接到该第四线圈导体的内端。

3.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第一接触导体和该第二接触导体以该规定的中心线为基准是对称的。

4.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第一接触导体和该第二接触导体设置在同一层中。

5.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第三线圈导体和该第四线圈导体设置在同一层中。

6.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第一线圈导体和该第二线圈导体中的一个设置在与该第三线圈导体和该第四线圈导体相同的层中。

7.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第三线圈导体和该第四线圈导体之间的最短距离被设置为该第三线圈导体和该第四线圈导体的节距的3倍或更多倍。

8.如权利要求1所述的共模扼流圈，其中，该第二线圈导体的宽度小于该第一线圈导体的宽度。

9.如权利要求1所述的共模扼流圈，该共模扼流圈还包括形成在该共模扼流圈的侧面上的方向性标记。

10.如权利要求9所述的共模扼流圈，其中，该方向性标记是设置在与第一线圈导体至第四线圈导体以及第一接触导体和第二接触导体中的任一个相同的层中的导体图案。

11.如权利要求1或2所述的共模扼流圈，其中，该第三线圈导体和该第四线圈导体的宽度小于该第一线圈导体和该第二线圈导体的宽度。

12.一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括：

彼此磁耦合的第一线圈导体和第二线圈导体；

连接到该第一线圈导体的内端的第三线圈导体；以及

连接到该第二线圈导体的内端的第四线圈导体；其中该共模扼流圈还包括：

第一接触导体，用于将该第三线圈导体与所述第一线圈导体的内端相连接；以及

第二连接导体，用于将该第四线圈导体与该第二线圈导体的内端相连接，

其中，该第一接触导体形成在与形成有该第一线圈导体的层不同的层上，并且，该第二接触导体形成在与形成有该第二线圈导体的层不同的层上。

13.如权利要求12所述的共模扼流圈，该共模扼流圈还包括：

第一端子电极和第二端子电极；

第一引出导体，用于将该第一端子电极与该第一线圈导体的外端相连接；以及

第二引出导体，用于将该第二端子电极与该第二线圈导体的外端连接。

14.如权利要求13所述的共模扼流圈，其中，该第一引出导体形成在与形成有该第一线圈导体的层相同的层上，并且，所述第二引出导体形成在与形成有该第二线圈导体的层相同的层上。

15.一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括：

形成在第一层上的第一线圈导体；

按与该第一线圈导体交叠的方式形成在第二层上的第二线圈导体；

经由第一接触导体连接到该第一线圈导体的第三线圈导体；以及

经由第二接触导体连接到该第二线圈导体的第四线圈导体；

其中，该第一接触导体形成在与该第一层不同的层上，并且，该第二接触导体形成在与该第二层不同的层上。

16.如权利要求15所述的共模扼流圈，其中，该第三线圈导体形成在该第一层和该第二层中的一个上，并且，该第四线圈导体形成在该第一层和该第二层中的一个上。