[发明专利]一种用于半导体工艺设备的衬套机构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810100895.0 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101521143A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陶林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/44;C23F4/00;H01J37/16;H01J37/317;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔 华 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺设备 衬套 机构 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于半导体工艺设备的衬套机构，其特征在于：所述衬套机 构设置在半导体工艺设备的基体内侧，所述衬套机构包括至少内环衬套 层(1)和外环衬套层(2)两层衬套，所述内环衬套层(1)一体制成， 并且所述内环衬套层(1)和外环衬套层(2)相互套接；其中
所述内环衬套层(1)包括碳化硅材料，该碳化硅内环衬套层(1) 由石墨坯件经过反应生成。
2.根据权利要求1所述的衬套机构，其特征在于：所述石墨坯件和 /或内环衬套层(1)的厚度为0.8-7mm。
3.根据权利要求1所述的衬套机构，其特征在于：所述外环衬套层 (2)包括氧化铝，或氧化钇，或铝的阳极氧化层，或上述材料的组合物。
4.根据权利要求1所述的衬套机构，其特征在于：所述内环衬套层 (1)还包括氮化硅材料。
5.一种用于半导体工艺设备的衬套机构的制造方法，其特征在于： 包括如下步骤：
A、加工用于制备内环衬套层的石墨坯件，使其尺寸与外环衬套层 相互配合；
B、对加工后的石墨坯件通入足量的氧化硅气体，并使石墨坯件在 1200～2000℃的温度下反应生成碳化硅的内环衬套层，所述内环衬套层 一体制成；
C、套接碳化硅的内环衬套层和氧化铝和/或氧化钇的外环衬套层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述石墨坯件的 厚度为0.8-7mm。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述内环衬套层 在腐蚀磨损后可以更换。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
