[发明专利]具有三维凹陷结构的硅及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810101189.8 申请日: 2008-02-29
公开(公告)号: CN101311349A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B29/60
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 余长江
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具有 三维 凹陷 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有三维凹陷结构的硅,其特征在于所述的三维凹陷结构为倒屋顶形,所述倒屋顶形的顶面为长方形,侧面为两对相同大小的三角形和梯形,其中三角形侧面和三角形侧面相对,梯形侧面和梯形侧面相对,

所述长方形顶面的长和宽均属于200纳米至60微米;

所述倒屋顶形的深度属于300纳米至40微米。

2.如权利要求1所述的具有三维凹陷结构的硅,其特征在于所述倒屋顶形满足b=a+c,其中:a为倒屋顶形屋脊的长度,b为倒屋顶形长方形顶面的长度,c为倒屋顶形长方形顶面的宽度。

3.如权利要求2所述的具有三维凹陷结构的硅,其特征在于a=0,b=c,其外形呈倒金字塔形。

4.一种具有三维凹陷结构的硅的制备方法,其步骤包含:

(1)将表面平整清洁的硅片和锌粉分别置于可加热的反应腔室中,硅片的(001)面作为反应界面;

(2)通入保护气体,除去反应腔室内的空气,并使腔内压强保持在0.3至0.5MPa之间,所述保护气体为惰性气体;

(3)加热,使反应腔室内温度达到600-1200℃,升温过程持续60-100分钟,并在最高温度下保持20-30分钟;

(4)将腔室内温度自然降至室温,得到具有三维凹陷结构的硅。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的锌粉置于反应腔室内的中心位置,硅片可置于反应腔室的中心位置并位于锌粉之下,也可置于下风口。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的锌粉的质量满足如下条件:在升温过程中保证反应腔室内有足够多的锌粉被蒸发,使得形成的锌蒸气与硅表面接触;同时在升温结束时,锌粉被蒸发完全。

7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的反应腔室为管式升温炉,或者其它能够提供真空腔室的可加热的设备。

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