[发明专利]具有三维凹陷结构的硅及其制备方法无效
申请号: | 200810101189.8 | 申请日: | 2008-02-29 |
公开(公告)号: | CN101311349A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B29/60 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 三维 凹陷 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有三维凹陷结构的硅,其特征在于所述的三维凹陷结构为倒屋顶形,所述倒屋顶形的顶面为长方形,侧面为两对相同大小的三角形和梯形,其中三角形侧面和三角形侧面相对,梯形侧面和梯形侧面相对,
所述长方形顶面的长和宽均属于200纳米至60微米;
所述倒屋顶形的深度属于300纳米至40微米。
2.如权利要求1所述的具有三维凹陷结构的硅,其特征在于所述倒屋顶形满足b=a+c,其中:a为倒屋顶形屋脊的长度,b为倒屋顶形长方形顶面的长度,c为倒屋顶形长方形顶面的宽度。
3.如权利要求2所述的具有三维凹陷结构的硅,其特征在于a=0,b=c,其外形呈倒金字塔形。
4.一种具有三维凹陷结构的硅的制备方法,其步骤包含:
(1)将表面平整清洁的硅片和锌粉分别置于可加热的反应腔室中,硅片的(001)面作为反应界面;
(2)通入保护气体,除去反应腔室内的空气,并使腔内压强保持在0.3至0.5MPa之间,所述保护气体为惰性气体;
(3)加热,使反应腔室内温度达到600-1200℃,升温过程持续60-100分钟,并在最高温度下保持20-30分钟;
(4)将腔室内温度自然降至室温,得到具有三维凹陷结构的硅。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的锌粉置于反应腔室内的中心位置,硅片可置于反应腔室的中心位置并位于锌粉之下,也可置于下风口。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的锌粉的质量满足如下条件:在升温过程中保证反应腔室内有足够多的锌粉被蒸发,使得形成的锌蒸气与硅表面接触;同时在升温结束时,锌粉被蒸发完全。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的反应腔室为管式升温炉,或者其它能够提供真空腔室的可加热的设备。
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