[发明专利]生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法

权利要求书

1.一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

选择一衬底；

将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；

降温至生长温度，同时通入三甲基铟、氨气、少量四氯化碳，生长出氮化铟单晶外延膜；

所述四氯化碳与三甲基铟的摩尔比为大于0小于0.06。

2.根据权利要求1所述的生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石、GaN、AlN、Si、SiC、GaAs、InAs、GaP、InP、MgAl₂O₄中任一种或这些衬底的复合衬底。

3.根据权利要求1所述的生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，所述的预处理温度为500-900℃，压力为2.6-101千帕斯卡，氨气为0.5-2slm，时间为5-20分钟。

4.根据权利要求1所述的生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，所述的氮化铟外延膜的生长温度为400-550℃，压力为2.6-101千帕斯卡，氮气作载气。