[发明专利]生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法无效

专利信息
申请号: 200810101357.3 申请日: 2008-03-05
公开(公告)号: CN101525740A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 王莉莉;张书明;杨辉;梁骏吾 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/52
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 生长 质量 氮化 铟单晶 外延 方法
【权利要求书】:

1.一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

选择一衬底;

将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;

降温至生长温度,同时通入三甲基铟、氨气、少量四氯化碳,生长出氮化铟单晶外延膜;

所述四氯化碳与三甲基铟的摩尔比为大于0小于0.06。

2.根据权利要求1所述的生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,其特征在于,所述的衬底为蓝宝石、GaN、AlN、Si、SiC、GaAs、InAs、GaP、InP、MgAl2O4中任一种或这些衬底的复合衬底。

3.根据权利要求1所述的生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,其特征在于,所述的预处理温度为500-900℃,压力为2.6-101千帕斯卡,氨气为0.5-2slm,时间为5-20分钟。

4.根据权利要求1所述的生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,其特征在于,所述的氮化铟外延膜的生长温度为400-550℃,压力为2.6-101千帕斯卡,氮气作载气。

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