[发明专利]一种单向低损耗的乐甫波传感器无效
申请号: | 200810101503.2 | 申请日: | 2008-03-07 |
公开(公告)号: | CN101526501A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 李红浪;陈烨;何世堂 | 申请(专利权)人: | 中国科学院声学研究所 |
主分类号: | G01N29/02 | 分类号: | G01N29/02;G01N29/24;G01N33/48;G01H11/00 |
代理公司: | 北京法思腾知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨小蓉 |
地址: | 100190北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单向 损耗 乐甫波 传感器 | ||
1. 一种单向低损耗的乐甫波传感器,包括压电基片(5)及分别沉积于其两端 的输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2),所述压电基片(5)上覆盖有波导 层(4),所述波导层(4)采用剪切波速比压电基片(5)低的低声速膜,该波导层 (4)的中部覆盖有敏感膜(3),所述敏感膜(3)放置在输入叉指换能器(1)和输 出叉指换能器(2)中间,其特征在于:所述的输入叉指换能器(1)和输出叉指换 能器(2)均采用单相单向换能器。
2. 根据权利要求1所述的乐甫波传感器,其特征在于:所述的波导层采用二氧 化硅、聚甲基丙烯酸甲脂、氧化锌、金或环氧树脂。
3. 根据权利要求1所述的乐甫波传感器,其特征在于:所述的敏感膜(3)为 生物敏感膜。
4. 根据权利要求1所述的乐甫波传感器,其特征在于:所述的输入叉指换能器 (1)和输出叉指换能器(2)部分可以被覆盖在波导层(4)之内或暴露在波导层(4) 之外。
5. 根据权利要求1所述的乐甫波传感器,其特征在于:所述的输入叉指换能器 (1)和输出叉指换能器(2)采用电极宽度控制单相单向叉指换能器、分布式单相 单向叉指换能器、谐振式单相单向叉指换能器、或双电极单相单向叉指换能器。
6. 根据权利要求1所述的乐甫波传感器,其特征在于:所述的输入叉指换能器 (1)和输出叉指换能器(2)采用Al膜、Au膜或Cu膜。
7. 根据权利要求1所述的乐甫波传感器,其特征在于:所述的压电基片(5) 采用各种切向的材料,可采用铌酸锂LiNbO3、钽酸锂LiTaO3、石英或压电陶瓷。
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