[发明专利]一种双界面智能卡电源管理电路

说明书

技术领域

本发明涉及双界面智能卡通讯技术领域，特别是双界面智能卡在接触/非接触各自单独工作模式以及接触/非接触两种模式同时上电的电源管理电路。

背景技术

电源管理是实现接触/非接触双界面智能卡的关键技术之一。一个比较理想的双界面智能卡电源管理电路，需要满足以下条件：

1)在非接触单独工作模式时，关断接触输入电源VCC与内部电路的连接，使接触输入电源VCC处于悬空状态，避免由接触输入电源VCC引入不必要的漏电；同时，需要将射频整流电源VDD_RF以尽可能小的损耗传递到内部电路作为内部电路的直流电源。

2)在接触单独工作模式时，关断射频整流电源VDD_RF与内部电路的连接，避免由射频整流电源VDD_RF的钳位单元引入大的漏电流；同时，需要将接触输入电源VCC以尽可能小的损耗传递到内部电路作为直流电源。

3)在接触/非接触两种模式同时上电时，可以稳定、可靠地为内部电路提供直流电源，同时避免射频整流电源VDD_RF和接触输入电源VCC相互充放电。

现有技术中，未见报道有完全满足上述条件的电路，无法在接触/非接触各自单独工作模式下及接触/非接触两种模式同时上电的情况下都能实现直流电源的基本无电压损耗传递。

发明内容

为了解决上述现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种双界面智能卡电源管理电路。它可以保证双界面智能卡在接触/非接触各自单独工作模式以及接触/非接触两种模式同时上电时，都可以高效、可靠地得到内部电源VDD。

为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现：

一种双界面智能卡电源管理电路，其结构特点是，该电路包括：

分别用于对射频整流电源VDD_RF，接触输入电源VCC和内部

电源VDD进行采样的三个采样单元SAM1，SAM2和SAM3；

分别用于对采样单元SAM1和SAM3的采样信号及采样单元SAM2和SAM3的采样信号进行比较放大的两个比较器单元COMP1和COMP2；

对应于射频整流电源VDD_RF的MOS管MP1和对应于接触输入电源VCC的MOS管MP2。

所述比较器单元COMP1和比较器单元COMP2的输出分别用于控制MOS管MP1的栅极和MOS管MP2的栅极，MOS管MP1和MOS管MP2的衬底与内部电源VDD连接。MOS管MP1的源极与射频整流电源VDD_RF连接，MOS管MP2的漏极与接触输入电源VCC连接，MOS管MP1的漏极与MOS管MP2的相连。

在上述双界面智能卡电源管理电路中，所述三个采样单元SAM1，SAM2和SAM3采用完全相同的电路，其具体结构可以采用电阻分压式、电容分压式、MOS管分压式或者电阻和MOS管分压式电路的任一种。

在上述双界面智能卡电源管理电路中，所述比较器单元COMP1和比较器单元COMP2的输出分别用于控制MOS管MP1的栅极和MOS管MP2的栅极，MOS管MP1和MOS管MP2的衬底与内部电源VDD连接。

在上述双界面智能卡电源管理电路中，所述比较器单元COMP1和COMP2采用内部电源VDD作为电源。

本发明由于采用上述结构，无论在接触/非接触各自单独工作模式下，还是接触/非接触两种模式同时上电的情况下，都实现了直流电源的基本无电压损耗传递。这对优化非接触工作模式的工作距离有很大的现实意义，同时也利于接触工作模式输入电源范围的拓展。在所有工作模式下，本发明都避免了不必要的漏电，避免了射频整流电源VDD RF和接触输入电源VCC的相互充放电。

下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

附图说明

图1为本发明的电路结构图；

图2为本发明中采样单元采用电阻分压式的电路结构图；

图3为本发明中采样单元采用电容分压式的电路结构图；

图4为本发明中采样单元采用MOS管分压式的电路结构图；

图5为本发明中采样单元采用电阻和MOS管分压式的电路结构图；

图6为本发明的应用原理图。

具体实施方式