[发明专利]在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法无效
申请号: | 200810102203.6 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101539505A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 周振宇;陈涌海 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01N19/00 | 分类号: | G01N19/00;G01N3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 半导体 样品 施加 连续 可调 应力 方法 | ||
1.一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法,其特征在于,包括:
1)选取一压电陶瓷致动器,所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力;
2)将两个“U”形紫铜帽固定在所述压电陶瓷致动器两端,用于固定样品和导热,将一个紫铜帽用螺丝固定在小型杜瓦瓶的传热金属探头上,将另一个紫铜帽通过紫铜导热丝与低温装置的传热探头相连;
3)使用一紫铜导热丝连接在一所述紫铜帽上,用于实现均匀迅速导热;
4)使用强力胶将半导体样品两端粘结在两个“U”形铜块上;
5)改变压电陶瓷致动器上压电陶瓷的偏压,对所述半导体样品施加连续可调单轴应力。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,采用丙酮浸泡所述半导体样品与紫铜帽的粘结部位,直到胶溶解后可以完整地取下样品。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述紫铜帽的尺寸能够使压电陶瓷准确的放进紫铜帽的凹槽。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述紫铜帽的凹槽的深度能够使半导体样品的长度比两个紫铜帽之间的缝隙大至少2毫米。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述强力胶是在低温下能够保证粘结强度的胶。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述浸泡时间在30分钟至1小时之间。
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