[发明专利]单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法

权利要求书

1.一种单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，该方法包括：

对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理；

对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；

采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽，分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，实现栅极的制备；

采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；

刻孔，蒸发一次布线金属，采用PECVD生长一层SiN介质，然后进行光刻二次布线Ti/Au；

常规金属剥离形成金属图形。

2.根据权利要求1所述的单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，所述对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理具体包括：

对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行腐蚀隔离，首先使用丙酮冲洗，然后再用乙醇清洗，最后用水冲洗6遍；烘干采用120℃烘箱10分，然后在130℃走程序；匀胶采用991原胶，转速3000转/分，匀胶时间为1分，胶厚度为1.5μm；然后采用95℃热板前烘90s，曝光后使用正胶显影液显60s，最后用水冲洗，吹干；打底胶采用RIEO₂，流量60sccm，功率20W，时间120秒；然后漂酸采用HCL∶H₂O＝1∶10，漂洗时间为10s，去除表面氧化层，并监测台阶高度；采用腐蚀液H₃PO₄∶H₂O₂∶H₂O＝3∶1∶50进行腐蚀，腐蚀时间40s，监测电流及岛高；漂酸，最后使用丙酮去胶，清洗，然后吹干。

3.根据权利要求1所述的单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，所述对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备，具体包括：

涂原胶AZ5214，转速3500转/分，涂敷时间1分钟，涂胶厚度为1.6μm；然后采用95℃热板烘烤90s；采用源漏版，小机器曝光20秒；并采用AZ5214显影液显影60秒，然后用水冲洗，并打底胶30秒；然后采用腐蚀液H₃PO₄∶H₂O＝1∶15进行漂洗，漂洗时间20秒去除氧化层；最后使用丙酮剥离，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，所述实现栅极制备的步骤具体包括：

涂原胶AZ5206，转速3000转/分，涂敷时间1分钟，涂胶厚度为1.4μm；然后采用95℃热板烘烤90s；采用栅金属版，大机器曝光2.1秒；然后挖栅槽，使用腐蚀液柠檬酸∶双氧水＝1∶1进行腐蚀，腐蚀InGaAs帽层，形成增强耗尽型栅极；然后蒸发栅金属Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au，在Ti/Pt/Au中，Ti的厚度为500埃，Pt的厚度为800埃，Au的厚度为2200埃，然后采用丙酮剥离，形成增强型栅极和耗尽型栅极。

5.根据权利要求1所述的单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，所述采用PECVD生长一层SiN介质的步骤中SiN介质的厚度为2000埃。

6.根据权利要求1所述的单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，所述溅射NiCr合金制作电阻的步骤具体包括：

涂AZ5214胶，4000转/分，60秒，1.5μm，热板95℃烘90秒，光刻，反转，泛曝光，SP-3型磁控溅射机，溅射NiCr合金870埃。

7.根据权利要求1所述的单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，所述刻孔，蒸发一次布线金属，采用PECVD生长一层SiN介质，然后进行光刻二次布线Ti/Au的步骤包括：

在O₂氛围下进行等离子光刻RIE，流量60sccm，功率20W；

光刻布线，蒸发第一次布线金属Ti/Au，剥离；

采用PECVD生长厚度为3000埃的介质SiN，在SF₆气体氛围下进行等离子光刻进行二次刻孔，流量30sccm，功率30W；

光刻布线，蒸发第二次布线金属Ti/Au，其中Ti的厚度为1000埃，Au的厚度为10000埃。