[发明专利]一种高温超导电缆/母线本体的设计方法无效

专利信息
申请号: 200810102740.0 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN101246767A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 王银顺 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B12/00;G06F17/50
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 朱琨
地址: 100044北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高温 超导 电缆 母线 本体 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种高温超导电缆或母线本体的设计方法,其特征在于,该方法是根据超导电缆或母线的等效电路模型,通过调节导体各层的螺距和绕制螺旋角来改变各层导体的电感,以达到各层传输电流与其临界电流比值相等,从而计算出绕制螺距参数,实现该方法具体步骤如下:

1)建立超导电缆或母线的等效电路模型;所述等效电路模型为:

其中,Ui、Ri、Li、Mi,j和ω分别是电缆上第i层超导线上的电压、接头电阻、自感、与第j层的互感和圆频率;i,j的取值范围分别为1≤i≤n,1≤j≤n;其中,各层导体单位长度的自感:

Li=μ0πri2Lpi2+μ0ln(D/ri)2π---(2)]]>

当rj>ri时,第i层与第j层单位长度的互感为:

Mi,j=Mj,i=αiαjμ0πri2LpiLpj+μ0ln(D/ri)2π---(3)]]>

Ii=ii2πricosθiw+gi---(4)]]>

其中,Lpi为第i层导体的螺距,D为电缆或母线电磁屏蔽层的半径,ri为第i导体层的半径,当第i层与第j层缠绕方向一致时,αiαj取1,相反时取-1,Ii是第i层导体通过的电流,w和gi分别表示单根带材的宽度和同层带材间的间隙,θi表示绕制螺旋角,ii表示第i层每根超导带材的电流;

2)根据超导带材的机械特性,确定超导电缆或母线本体的绕制螺旋角θ的范围为:

sin-1(ϵt-ϵs-ϵpϵr-ϵp)θsin-1(rR)---(5)]]>

其中εt为带材的自由热收缩率,εs为带材在冷却过程中的应变,εp为螺距的变化率,εγ为导体层的径向收缩率,r为带材绕制半径,R为带材的临界弯曲半径;

3)利用超导带材临界电流的各向异性,根据运行电流确定超导电缆本体各层上磁场大小和方向,确定所述超导电缆或母线本体各层上的临界电流;

4)令各层上运行的电流与其临界电流的比值相等,对于绕制螺距进行迭代计算,得到绕制螺距参数。

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