[发明专利]TFT-LCD阵列基板和彩膜基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数 据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极， 其特征在于，所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化 层过孔和像素电极过孔，用于与彩膜基板上的透明电极直接连接；所述像素 电极过孔的中心与所述第二钝化层过孔的中心一致，且所述像素电极过孔的 直径大于所述彩膜基板上的柱状隔垫物与所述第二钝化层过孔接触处的直 径。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二钝 化层过孔或像素电极过孔的形状为圆形、椭圆形、四边形或多边形。

3.根据权利要求1或2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述TFT 包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极和钝化层，钝化层上开设 有第一钝化层过孔，所述栅电极与所述栅线连接，所述源电极与所述数据线 连接，所述漏电极通过所述第一钝化层过孔与所述像素电极连接。

4.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤11、在基板上沉积一层栅金属层，通过构图工艺形成栅电极、栅线、 挡光条和公共电极线图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层和有源层，通过构图 工艺形成有源层图形；

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积一层金属薄膜，通过构图工艺形成 数据线、源电极和漏电极图形；

步骤14、在完成步骤13的基板上沉积一层钝化层，通过构图工艺在所述 漏电极上方形成第一钝化层过孔，在所述公共电极线上方形成第二钝化层过 孔；

步骤15、在完成步骤14的基板上沉积一层像素电极层，通过构图工艺形 成像素电极，并在所述第二钝化层过孔处形成像素电极过孔，且像素电极通 过所述第一钝化层过孔与所述漏电极连接；所述像素电极过孔的中心与所述 第二钝化层过孔的中心一致，且所述像素电极过孔的直径大于彩膜基板上的 柱状隔垫物与所述第二钝化层过孔接触处的直径。

5.一种TFT-LCD彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵、彩色树脂、柱 状隔垫物和透明电极，其特征在于，所述柱状隔垫物设置在与阵列基板上中 心一致的第二钝化层过孔和像素电极过孔相对应的位置上，且覆盖有所述透 明电极；所述透明电极通过直径大于所述柱状隔垫物与所述第二钝化层过孔 接触处的直径的所述像素电极过孔和所述第二钝化层过孔与所述阵列基板上 的公共电极线直接连接。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD彩膜基板，其特征在于，所述柱状隔 垫物的侧面形状为梯形，顶端宽度为1μm～40μm，底端宽度为1μm～80μm。

7.根据权利要求5或6所述的TFT-LCD彩膜基板，其特征在于，所述柱 状隔垫物的顶端形状和/或底端形状为圆形、椭圆形、四边形或多边形。

8.一种TFT-LCD彩膜基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上沉积柱状隔垫物树脂层，通过构图工 艺，形成柱状隔垫物图形；所述柱状隔垫物形成在与阵列基板上中心一致的 第二钝化层过孔和像素电极过孔相对应的位置上；

步骤23、在完成步骤22的基板上沉积一层透明电极层，使所述柱状隔 垫物表面覆盖有透明电极，所述透明电极通过直径大于所述柱状隔垫物与所 述第二钝化层过孔接触处的直径的所述像素电极过孔和所述第二钝化层过孔 与所述阵列基板上的公共电极线直接连接。

9.根据权利要求8所述的TFT-LCD彩膜基板制造方法，其特征在于，所 述步骤21具体为：在基板上沉积一层黑矩阵层，通过构图工艺形成黑矩阵图 形；在完成上述步骤的基板上形成红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂图形。