[发明专利]一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构有效
| 申请号： | 200810103181.5 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101276879A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;包瑾;徐晓光 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自由 垂直 铁磁性 隧道 结构 | ||
1. 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，其特征在于：
a.最底层为底电极层，厚度为10～200纳米；
b.从底往上第二层为反铁磁层，厚度为10～20纳米；
c.从底往上第三层为钉扎层，所述钉扎层为磁各向异性易轴垂直膜面材料；
d.从底往上第四层为绝缘层，厚度为0.5～2.5纳米；
e.从底往上第五层为第1自由层，厚度为1～10纳米；
f.从底往上第六层为第2自由层，厚度为1～10纳米；
g.从底往上第七层为顶电极层，厚度为10～200纳米；
其中所述第五层和所述第六层构成双自由层结构，所述第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，所述第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。
2. 按照权利要求1所述的结构，其特征在于：所述钉扎层选自以下结构中的至少一种：金属铂/钴复合结构、金属镍/钴复合结构、稀土类金属铽钴铁合金结构。
3. 按照权利要求2所述的结构，其特征在于：所述金属铂/钴复合结构为由2～20层的金属铂和金属钴交替重叠而成；其中最底层为金属铂，最顶层为金属钴，其中每一层金属铂层的厚度为1～3纳米，每一层金属钴层的厚度为0.1～0.4纳米。
4. 按照权利要求2所述的结构，其特征在于：所述金属镍/钴复合结构为由2～20层的金属镍和金属钴交替重叠而成，其中最底层为金属镍，最顶层为金属钴，并且金属镍层的厚度为1～3纳米，金属钴层的厚度为0.1～0.4纳米。
5. 按照权利要求2所述的结构，其特征在于：所述稀土类金属铽钴铁合金结构的厚度为1～10纳米。
6. 权利要求1-5所述的双自由层垂直铁磁性隧道结结构具有低写入电流特性，用以构成磁电阻存储单元。
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