[发明专利]一种双波长单芯片发光二极管

权利要求书

1、一种双波长单芯片发光二极管，其特征在于，包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波段的量子阱，且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。

2、如权利要求1所述的双波长单芯片发光二极管，其特征在于，如两个有源层之间共用一p型接触层，所述双波长单芯片LED结构器件为，从下至上依次叠加一n型接触层、一量子阱A、一p型接触层、一量子阱B以及一n型接触层。

3、如权利要求1所述的双波长单芯片发光二极管，其特征在于，如两个有源层之间共用一n型接触层，所述双波长单芯片LED结构器件为，从下至上依次叠加一p型接触层、一量子阱A、一n型接触层、一量子阱B以及一p型接触层。

4、如权利要求1、2或3所述的双波长单芯片LED结构器件，其特征在于，所述n型接触层或p型接触层为GaN层、AlN层、AlGaN层、InGaN层、InAlN层、InAlGaN层或者上述合金的组合。

5、如权利要求1、2或3所述的双波长单芯片LED结构器件，其特征在于，所述量子阱为In_xGa_1-xN，Al_xGa_1-xN或AlInGaN。

6、如权利要求5所述的双波长单芯片LED结构器件，其特征在于，所述量子阱的周期数为1～20。

7、如权利要求6所述的双波长单芯片LED结构器件，其特征在于，所述量子阱的每个周期中，阱的厚度为1nm-5nm之间，垒的厚度为6nm～20nm之间。

8、如权利要求1、2或3所述的双波长单芯片LED结构器件，其特征在于，所述两个有源层之间共用的p型接触层或n型接触层的厚度范围为300nm～1500nm。