[发明专利]用于电场测量的耦合型光电集成传感器无效
| 申请号： | 200810104166.2 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101251560A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;牛犇;王博;耿屹楠;华勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电场 测量 耦合 光电 集成 传感器 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于电场测量的耦合型光电集成传感器，包括采用具有电光效应的晶片，在该晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成输入Y形分叉、中间互相平行的光波导；其特征在于，还包括在所述光波导的输出端连接的3dB耦合结构的光波导；在所述中间互相平行的两段光波导中的一段的上表面设置一个电极。
2、如权利要求1所述的光电集成传感器，其特征在于，所述电极的宽度与光波导宽度之比为：2～20∶1，电极的长度与两平行的光波导长度之比为1～0.05∶1。
3、如权利要求1所述的光电集成传感器，其特征在于，所述的晶片为铌酸锂晶片、硅酸铋晶片、锗酸铋晶片或磷酸氧钛钾晶片中的任何一种，或为具有光电效应的聚合物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810104166.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
