[发明专利]紫外光探测器有效
| 申请号： | 200810104424.7 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101261156A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘昊;赵嵩卿;周娜;赵卉;高磊;王爱军;赵昆 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田野 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外光 探测器 | ||
1、一种紫外光探测器，该紫外光探测器至少包括：
一个光传感器，所述光传感器至少包括一个二氧化硅光传感器芯片、两个电极和两个输出端，其中所述两个电极位于所述二氧化硅光传感器芯片的一个侧面上，两个输出端分别与两个电极相连接；以及
一个外壳，所述光传感器位于所述外壳中。
2、根据权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于：在一个电极和与该电极连接的输出端之间串联有电源，在两个输出端之间并联有电阻。
3、根据权利要求2所述的紫外光探测器，其特征在于：所述电源为0-200V可调的直流电源，所述电阻为1kΩ-50MΩ。
4、根据权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于：所述二氧化硅光传感芯片由二氧化硅单晶片、二氧化硅单晶膜或二氧化硅多晶膜制成。
5、根据权利要求4所述的紫外光探测器，其特征在于：所述二氧化硅单晶片为取向为<100>、<101>、<110>或<111>。
6、根据权利要求4所述的紫外光探测器，其特征在于：所述二氧化硅单晶片的几何尺寸为10mm×5mm×0.5mm。
7、根据权利要求4所述的紫外光探测器，其特征在于：所述二氧化硅单晶膜的厚度为1nm。
8、根据权利要求4所述的紫外光探测器，其特征在于：所述二氧化硅多晶膜的厚度为1μm。
9、根据权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于：所述电极由铂、金、银、铝、铟或锡制成。
10、根据权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于：所述电极为线状电极、插指电极或圆形电极。
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